[发明专利]薄膜热导率的测量装置及测量方法

说明书

本发明涉及一种薄膜热导率的测量装置及测量方法，采用硅基板作为测量装置的基座，多个薄膜微桥平行架设于刻蚀槽上以组成测量微结构装置，以复现微型电子器件的实际工作过程，以此测量得到微型电子器件工作过程中薄膜材料的热导率。本发明的薄膜热导率的测量装置及测量方法，可在复现微型电子器件的实际工作过程的情况下，对薄膜材料的热导率进行精准测量，以将测量结果作为对薄膜材料进行实际应用的准确参考，解决了传统测量装置对薄膜材料的热导率进行测量时存在的测量不准确的问题。

技术领域

本发明涉及集成电路设计的技术领域，尤其涉及一种薄膜热导率的测量装置及测量方法。

背景技术

集成电路(integrated circuit，IC)或互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，CMOS)等微型电子器件在工作过程中自身会发热，为提高微型电子器件的导热效率，通常会采用热导率较高的薄膜材料对微型电子器件进行封装，为获取适于微型电子器件使用的薄膜材料，对薄膜材料的热导率进行精确测量显得尤其重要。传统的对薄膜材料的热导率进行测量的装置均难以复现微型电子器件的实际工作过程，因此采用传统的测量方法所得到的热导率存在较大偏差，测量得到的热导率无法作为对薄膜材料进行实际应用的准确参考。因而，现有的测量装置对薄膜材料的热导率进行测量时存在测量不准确的问题。

发明内容

本申请实施例提供了一种薄膜热导率的测量装置及测量方法，旨在解决现有技术中的测量装置对薄膜材料的热导率进行测量时所存在的测量不准确的问题。

本发明是通过以下技术方案来实现的：

一种薄膜热导率的测量装置及测量方法，其中，包括：硅基板、薄膜材料、加热器、温度传感器及导电支臂；

所述硅基板包括设置于所述硅基板中央的刻蚀槽；

所述薄膜材料包括多个平行架设于所述刻蚀槽上的薄膜微桥，所述薄膜微桥的两端固定于所述刻蚀槽的侧壁的顶面上；

所述加热器设置于所述薄膜微桥上，所述加热器用于产生热量并将热量经所述薄膜微桥传导至所述侧壁；

所述导电支臂架设于所述刻蚀槽上且与所述加热器接触以将电流传导至所述加热器，所述加热器的两端均设有一个所述导电支臂；

所述侧壁的顶面上及所述加热器上均设置所述温度传感器，所述温度传感器用于采集所述侧壁及所述加热器的温度以实现对所述薄膜材料热导率的测量。

所述的薄膜热导率的测量装置，其中，所述薄膜材料的两端均设有一个所述温度传感器，两个所述温度传感器均与所述薄膜微桥相垂直。

所述的薄膜热导率的测量装置，其中，所述加热器垂直设置于所述薄膜微桥上。

所述的薄膜热导率的测量装置，其中，所述加热器沿所述薄膜微桥的中轴线进行设置。

所述的薄膜热导率的测量装置，其中，所述加热器为多晶硅微加热器。

所述的薄膜热导率的测量装置，其中，所述薄膜材料的基材为氧化硅。

所述的薄膜热导率的测量装置，其中，所述薄膜材料还包括附着于所述基材的顶面或底面的附着层。

所述的薄膜热导率的测量装置，其中，所述附着层为多晶硅层或金属层。

所述的薄膜热导率的测量装置，其中，还包括设置于所述薄膜材料外围的散热器。

一种薄膜热导率的测量方法，所述测量方法应用于至少两个上述的薄膜热导率的测量装置，其中，所述测量方法包括：