[发明专利]介质隔离结构及其介质滤波器

说明书

本发明适用于介质滤波器技术领域，提供了一种介质隔离结构，包括有至少一对相邻的第一介质谐振器和第二介质谐振器，所述第一介质谐振器设有一对TE102模式的第一频率盲孔，所述第二介质谐振器设有一个TE101模式的第二频率盲孔，且所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器的中间设置至少一用于隔离所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器的通槽和/或通孔。还提出了一种介质滤波器，包括至少一所述介质隔离结构。借此，本发明实现单一陶瓷介质块上相邻介质谐振器间的良好隔离器效果，降低了加工成本，增加了设计的稳定性且提高了可靠性。

技术领域

本发明涉及介质滤波器技术领域，尤其涉及一种介质隔离结构及其介质滤波器。

背景技术

介质滤波器与传统金属同轴滤波器一样,经常遇到相邻两个谐振器间不需要相互耦合,但由于结构或位置因素始终存在少量耦合的情况，一般称之为寄生耦合。寄生耦合通常会使原设计的频率响应产生恶化，所以在设计中需要尽量减小寄生耦合，或者通过调整滤波器的拓扑结构降低寄生耦合对频率响应的影响度。

减小相邻两个谐振器间寄生耦合的常用方法有两种：

1、将相邻两个谐振器设置于两个单独的陶瓷介质块上，这样能从物理上将两者隔离，从而最大限度的减小两者间的寄生耦合。其缺点是增加了滤波器的陶瓷块数量，在滤波器的装配中会引入额外的对齐要求和焊接工序，还增加了设计的累积公差，加大了滤波器的生产调试难度。

2、如现有中国专利CN109103553B公开了相邻两谐振器仍设置于同一陶瓷介质块上，利用两者之间设置的通槽来隔离相互间的耦合。这种方法避免了陶瓷介质的分块，但由于两谐振器在物理上由通槽两端的连接段相连，仍会存在一定的相互耦合，且其耦合带宽随连接段宽度增大而迅速增大。考虑到陶瓷介质块的加工成型难度和结构强度，连接段的宽度一般不能小于1mm，所以寄生耦合量相比方法一在量级上更高，须通过调整滤波器的拓扑结构降低寄生耦合对频率响应的影响度，因此对滤波器的拓扑设计限制较大。当连接段宽度较窄时，其结构强度相较于介质块其他部分低，在陶瓷烧制或高低温冲击下可能出现断裂的风险，对陶瓷材料和烧制工艺要求较高。

综上可知，现有的方法在实际使用上，存在着较多的问题，所以有必要加以改进。

发明内容

针对上述的缺陷，本发明的目的在于提供一种介质隔离结构，实现单一陶瓷介质块上相邻介质谐振器间的良好隔离器效果，降低了加工成本，增加了设计的稳定性且提高了可靠性。

为了实现上述目的，本发明提供一种介质隔离结构，包括有至少一对相邻的第一介质谐振器和第二介质谐振器，所述第一介质谐振器设有一对TE102模式的第一频率盲孔，所述第二介质谐振器设有一个TE101模式的第二频率盲孔，且所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器的中间设置至少一用于隔离所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器的通槽和/或通孔。

根据所述的介质隔离结构，两个所述第一频率盲孔在所述第一介质谐振器的上表面沿所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器中心连线轴对称分布，且两个所述第一频率盲孔的直径和深度对应相等。

根据所述的介质隔离结构，所述第二频率盲孔设于所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器中心连线的所在直线上。

根据所述的介质隔离结构，至少一所述通槽和/或所述通孔对称垂直于所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器的中心连线上。

根据所述的介质隔离结构，所述通槽和/或所述通孔衔接于所述第一介质谐振器和所述第二谐振器之间的至少两个介质连接段的宽度相等。

根据所述的介质隔离结构，所述介质隔离结构为陶瓷介质块。

根据所述的介质隔离结构，所述介质隔离结构呈矩形块结构。

还提供了一种介质滤波器，其特征在于，包括有上述的介质隔离结构。