[实用新型]用于毫米波成像系统的透镜组件

说明书

本实用新型公开了用于毫米波成像系统的透镜组件，包括硅基衬底和芯片，所述硅基衬底为颠倒的宝塔式结构，所述芯片设于所述硅基衬底的顶面上。取消了曲面式高阻硅透镜的设置，将硅基衬底设置成颠倒的宝塔状，使硅基衬底构成堆叠式透镜，从而缩小了透镜组件的面积和体积；同时，减少了外加曲面式透镜带来的间隙空气损耗及曲面加工难度；另外，可以使芯片辐射源变为背向辐射方式，利于简化芯片内部电路版图的复杂度，从而降低透镜组件的制造成本。

技术领域

本实用新型涉及毫米波成像系统技术领域，尤其涉及用于毫米波成像系统的透镜组件。

背景技术

毫米波成像系统中会使用到一种透镜组件，如图1所示，传统的透镜组件包括硅基衬底1、曲面式高阻硅透镜4和具有天线的芯片2，其中，芯片2设于所述硅基衬底1上(硅基衬底1可认为是所述芯片2的一部分)，所述曲面式高阻硅透镜4设于所述芯片2远离所述硅基衬底1的一侧，所述曲面式高阻硅透镜4主要用于帮助芯片2上天线提升增益和方向性。在现有的透镜组件中，曲面式高阻硅透镜4需要在外部与芯片2上天线进行组合，这无疑会使得整体的辐射源模块变大，不利于小型化和集成化。另外，曲面式高阻硅透镜4在加工方面较困难，需要控制透镜的曲率以及应对高阻硅材料的应力特性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种小体积的用于毫米波成像系统的透镜组件。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：用于毫米波成像系统的透镜组件，包括硅基衬底和芯片，所述硅基衬底为颠倒的宝塔式结构，所述芯片设于所述硅基衬底的顶面上。

进一步的，所述颠倒的宝塔式结构包括堆叠相连的多个堆叠块，相邻的两个所述堆叠块中位于下层的堆叠块的轮廓尺寸小于位于上层的堆叠块的轮廓尺寸；所述芯片设于位于最上层的所述堆叠块的顶面上。

进一步的，每个所述堆叠块均呈圆柱状，相邻的两个所述堆叠块中位于下层的堆叠块的直径小于位于上层的堆叠块的直径。

进一步的，多个的所述堆叠块的中心均位于同一条垂直于所述芯片的底面的直线上。

进一步的，所述颠倒的宝塔式结构为一体式结构。

进一步的，所述芯片包括天线，所述天线靠近所述硅基衬底设置。

本实用新型的有益效果在于：取消了曲面式高阻硅透镜的设置，将硅基衬底设置成颠倒的宝塔状，使硅基衬底构成堆叠式透镜，从而缩小了透镜组件的面积和体积；同时，减少了外加曲面式透镜带来的间隙空气损耗及曲面加工难度；另外，可以使芯片辐射源变为背向辐射方式，利于简化芯片内部电路版图的复杂度，从而降低透镜组件的制造成本。

附图说明

图1为现有技术的用于毫米波成像系统的透镜组件的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一的用于毫米波成像系统的透镜组件的结构示意图。

标号说明：

1、硅基衬底；

2、芯片；

3、堆叠块；

4、曲面式高阻硅透镜。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本实用新型最关键的构思在于：取消曲面式高阻硅透镜的设置，将硅基衬底设置成颠倒的宝塔状，使硅基衬底构成堆叠式透镜。

请参照图2，用于毫米波成像系统的透镜组件，包括硅基衬底1和芯片2，所述硅基衬底1为颠倒的宝塔式结构，所述芯片2设于所述硅基衬底1的顶面上。