[实用新型]石墨载盘及具有其的MOCVD反应装置

权利要求书

1.一种石墨载盘，其特征在于，所述石墨载盘呈圆形，且由所述石墨载盘中心朝向边缘的方向上，所述石墨载盘包括里圈区域、中圈区域及外圈区域，所述石墨载盘上设有若干用于承载4英寸衬底的凹槽，所述凹槽包括位于里圈区域的里圈凹槽、位于中圈区域的中圈凹槽及位于外圈区域的外圈凹槽，所述里圈区域设有6个里圈凹槽。

2.根据权利要求1所述的石墨载盘，其特征在于，所述石墨载盘还包括位于所述凹槽内的若干支撑件，于所述石墨载盘的厚度方向上，若干支撑件等高。

3.根据权利要求1所述的石墨载盘，其特征在于，所述中圈区域设有12个中圈凹槽，所述外圈区域设有18个外圈凹槽。

4.根据权利要求1所述的石墨载盘，其特征在于，所述凹槽为圆形凹槽。

5.根据权利要求4所述的石墨载盘，其特征在于，若干里圈凹槽的中心连成里圈中心线，若干中圈凹槽的中心线连成中圈中心线，所述中圈中心线与所述里圈中心线之间形成中间区域，所述中间区域包括对应若干里圈凹槽的第一区域、对应若干中圈凹槽的第二区域及对应剩余部分的交接区域，所述衬底用于成型外延片，对应所述里圈凹槽的外延片的工作电压为第一电压，对应所述中圈凹槽的外延片的工作电压为第二电压，所述第一电压与所述第二电压之间具有电压差，所述交接区域的面积与所述电压差之间为正相关。

6.根据权利要求5所述的石墨载盘，其特征在于，所述交接区域的面积不大于30000mm²。

7.根据权利要求4所述的石墨载盘，其特征在于，所述石墨大盘具有中心点，任意两个外圈凹槽之间具有外圈交接区，所述中心点至所述外圈交接区之间形成基准线，所述中心点与所述里圈凹槽的中心之间的第一连线与所述基准线之间的最小夹角为10°，所述中心点与所述中圈凹槽的中心之间的第二连线与所述基准线之间的最小夹角为5°，所述中心点与所述外圈凹槽的中心之间的第三连线与所述基准线之间的最小夹角为10°。

8.根据权利要求4所述的石墨载盘，其特征在于，任一里圈凹槽的中心与相邻的两个中圈凹槽的中心之间的连线呈正三角形。

9.根据权利要求4所述的石墨载盘，其特征在于，任一里圈凹槽与相邻的里圈凹槽或中圈凹槽均接触。

10.一种MOCVD反应装置，其特征在于，包括如权利要求1-9中任意一项所述的石墨载盘、位于所述石墨载盘下方的加热装置、反应腔及源供给系统，所述石墨载盘位于所述反应腔内，所述源供给系统用于为反应腔提供反应气体。