[发明专利]一种连续式制作玻璃基离子交换掩埋光波导的方法

权利要求书

1.一种连续式制作玻璃基离子交换掩埋光波导的方法，其特征在于：放置隧道式高温炉(15)，隧道式高温炉(15)两端开设炉口分别作为进口端和出口端，且在隧道式高温炉(15)的进口端和出口端之间布置水平的传送带(16)；隧道式高温炉(15)内进口端和出口端之间放置坩埚(3)，传送带(16)上悬挂有石英花篮(19)，石英花篮(19)被传送带(16)带动并沿传送带(16)运输，传送带(16)的传送轮连接驱动结构(17)，隧道式高温炉(15)设置有正电极滑轨(18)，正电极滑轨(18)其中一端经的导线(21)连接到外部直流电源(12)的正极，坩埚(3)内设置负电极(10)并和外部直流电源(12)的负极连接，石英花篮(19)内设置正电极(9)并和正电极滑轨(18)连接；传送带(16)的驱动结构(17)作用下，传送带(16)将石英花篮(19)从隧道式高温炉(15)的进口端输送入隧道式高温炉(15)，经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉(15)的出口端。

2.根据权利要求1所述的一种连续式制作玻璃基离子交换掩埋光波导的方法，其特征在于：在所述坩埚(3)内注有不含掺杂离子的熔盐(8)并插入负电极(10)；石英花篮(19)内放置有玻璃基片(4)，玻璃基片(4)上表面中间具有离子掺杂区(7)，玻璃基片(4)上通过高温粘结剂(14)固定有石英管(13)，围成底部密闭腔，底部密闭腔内注有不含掺杂离子的熔盐(8)并插入正电极(9)；正电极(9)通过电极引线(11)悬挂于正电极滑轨(18)上，方法是通过传送带(16)移动运输石英花篮(19)将表面带有离子掺杂区(7)的玻璃基片(4)置于在隧道式高温炉(15)内的坩埚(3)中不含掺杂离子的熔盐(8)内进行离子迁移制成表面光波导芯片的芯层。

3.根据权利要求2所述的一种连续式制作玻璃基离子交换掩埋光波导的方法，其特征在于：所述的石英管(13)的直径和玻璃基片(4)的直径相一致。

4.根据权利要求2所述的一种连续式制作玻璃基离子交换掩埋光波导的方法，其特征在于：所述的玻璃基片(4)材料为硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃或硼酸盐玻璃。

5.根据权利要求1所述的一种连续式制作玻璃基离子交换掩埋光波导的方法，其特征在于：所述的正电极(9)和负电极(10)为金电极、铂电极，或石墨电极。

6.根据权利要求1所述的一种连续式制作玻璃基离子交换掩埋光波导的方法，其特征在于：所述的正电极滑轨(18)由导电材料制成。