[发明专利]一种应用于低功耗芯片的迟滞比较器电路

权利要求书

1.一种应用于低功耗芯片的迟滞比较器电路，其特征在于，包括开环预放大电路(1)，所述开环预放大电路(1)用于将两个输入端的差分电压进行放大后输出到buffer电路(2)，所述buffer电路(2)是一个射随电路，将接收到的差分电压的共模电平降低一个PN结电压输出到过零比较器(3)的输入，所述过零比较器(3)的输出连接正反馈环路(4)的输入，所述正反馈环路(4)的输出反馈信号至开环预放大电路(1)的输入端。

2.如权利要求1所述的一种应用于低功耗芯片的迟滞比较器电路，其特征在于，所述开环预放大电路(1)包括第一负载电阻(6)和第二负载电阻(7)，所述第一负载电阻(6)的一端和第二负载电阻(7)的一端分别连接第一三极管(8)的集电极和第二三极管(9)的集电极；所述第一三极管(8)的发射集和第二三极管(9)的集电极均与第一电流源(5)的正极连接，所述第一电流源(5)的负极接地；

所述第一三极管(8)的基集为开环预放大电路(1)的一个输入端HVP，所述第二三极管(9)的基集为开环预放大电路(1)的另一个输入端HVN。

3.如权利要求2所述的一种应用于低功耗芯片的迟滞比较器电路，其特征在于，所述buffer电路包括第三三极管(10)和第四三极管(11)，所述第三三极管(10)的集电极和第四三极管(11)的集电极均与电源连接，所述第三三极管(10)的发射极和第四三极管(11)的发射极分别与第二电流源(12)的正极和第三电流源(13)的正极连接，所述第二电流源(12)的负极和第三电流源(13)的负极均接地，所述第三三极管(10)的发射极为VAN端，所述第四三极管(11)的发射极为VAP端；

所述第三三极管(10)的基集与第二负载电阻(7)的一端连接，所述第四三极管(11)的基集与第一负载电阻(6)的一端连接。

4.如权利要求2所述的一种应用于低功耗芯片的迟滞比较器电路，其特征在于，所述buffer电路包括第三三极管(10)和第四三极管(11)，所述第三三极管(10)的集电极和第四三极管(11)的集电极均与电源连接，所述第三三极管(10)的发射极和第四三极管(11)的发射极分别与第三负载电阻(14)的一端和第四负载电阻(15)的一端连接，所述第三负载电阻(14)的另一端和第四负载电阻(15)的另一端均接地；所述第三三极管(10)的发射极为VAN端，所述第四三极管(11)的发射极为VAP端；

所述第三三极管(10)的基集与第二负载电阻(7)的一端连接，所述第四三极管(11)的基集与第一负载电阻(6)的一端连接。

5.如权利要求3或4所述的一种应用于低功耗芯片的迟滞比较器电路，其特征在于，所述过零比较器(3)包括第五电阻(16)，所述第五电阻(16)的一端接电源，所述第五电阻(16)的另一端分别连接有第五三极管(17)的发射集和第六三极管(18)的发射集，所述第五三极管(17)的基集与VAN端连接，所述第六三极管(18)的基集与VAP端连接；

所述第五三极管(17)的集电极分别与第七三极管(23)的集电极和第二二极管(22)的正极连接，所述第七三极管(23)的集电极与第七三极管(23)的发射极通过第二保持电容(26)连接，所述第七三极管(23)的发射极还与第二二极管(22)的负极连接；

所述第六三极管(18)的集电极分别与第八三极管(24)的集电极和第一二极管(21)的正极连接，所述第八三极管(24)的集电极与第八三极管(24)的发射极通过第一保持电容(25)连接，所述第八三极管(24)的发射极还与第一二极管(21)的负极连接；

所述第六三极管(18)的集电极还与第七三极管(23)的基集通过第二限流电阻(20)连接，所述第五三极管(17)的集电极还与第八三极管(24)的基集通过第一限流电阻(19)连接，所述第七三极管(23)的集电极与第八三极管(24)集电极相连并接地。