[发明专利]一种片料基材的拾取方法及拾取装置在审
申请号: | 201911363721.8 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN111099403A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 艾波;田明星;宛朝辉;艾勇诚;段奔;钟青 | 申请(专利权)人: | 武汉理工氢电科技有限公司 |
主分类号: | B65H3/08 | 分类号: | B65H3/08;B65H3/48;B65H5/08;B65H7/06;H01M8/1004 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 付兴奇 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基材 拾取 方法 装置 | ||
1.一种片料基材的拾取方法,其特征在于,包括:先使吸附装置的吸附头吸附所述片料基材,然后控制所述吸附头在所述片料基材的厚度方向上振动。
2.根据权利要求1所述的拾取方法,其特征在于,拾取所述片料基材之前,所述片料基材堆叠于料仓内,在所述吸附装置的吸附头吸附所述片料基材之前,所述拾取方法还包括:
给堆叠的所述片料基材的缝隙通离子风。
3.根据权利要求2所述的拾取方法,其特征在于,所述控制所述吸附头在所述片料基材的厚度方向上振动之后,所述拾取方法还包括:
检测所述吸附头上的所述片料基材的厚度;
如果检测到的所述厚度大于单张所述片料基材的厚度,则控制所述吸附头松开所述片料基材,然后再次使用所述吸附头吸附所述片料基材;
如果检测到的所述厚度等于单张所述片料基材的厚度,则所述吸附头保持吸附所述片料基材。
4.根据权利要求1~3任一项所述的拾取方法,其特征在于,所述片料基材为扩散层GDL片材,所述吸附装置为静电吸附装置,所述拾取方法包括:
所述静电吸附装置的静电吸盘吸附所述GDL片材以后,控制所述静电吸盘在所述GDL片材的厚度方向上振动,使远离所述静电吸盘的所述GDL片材脱离所述静电吸盘。
5.根据权利要求1~3任一项所述的拾取方法,其特征在于,所述片料基材为GDL片材,所述吸附装置为伯努利吸附装置,所述拾取方法包括:
控制所述伯努利吸附装置的伯努利吸盘与所述GDL片材的距离为预设距离,调整所述伯努利吸盘的压力,使所述伯努利吸盘吸附所述GDL片材,然后控制所述伯努利吸盘在所述GDL片材的厚度方向上振动,使远离所述伯努利吸盘的所述GDL片材脱离所述伯努利吸盘。
6.根据权利要求5所述的拾取方法,其特征在于,所述伯努利吸盘至少包括两个,所述拾取方法包括:
控制每个所述伯努利吸盘与所述GDL片材的距离为所述预设距离,调整至少两个所述伯努利吸盘的压力,使至少两个所述伯努利吸盘分别吸附所述GDL片材的同一表面的两端。
7.根据权利要求6所述的拾取方法,其特征在于,所述GDL片材堆叠于GDL料仓内,所述控制所述伯努利吸附装置的伯努利吸盘与所述GDL片材的距离为所述预设距离的步骤包括:
控制所述GDL料仓的底板上下运动,使所述GDL料仓内的最上层的所述GDL片材与所述伯努利吸盘的吸附距离为所述预设距离。
8.根据权利要求1~3任一项所述的拾取方法,其特征在于,所述片料基材包括边框,所述吸附装置为真空吸附装置,所述拾取方法包括:
所述真空吸附装置的真空吸盘吸附所述片料基材的边框以后,控制所述真空吸盘在所述片料基材的厚度方向上振动,使远离所述真空吸盘上的所述片料基材脱离所述真空吸盘。
9.根据权利要求8所述的拾取方法,其特征在于,所述边框的两侧设置有多个通孔,所述真空吸盘的周向设置有多个吸盘孔,所述拾取方法包括:
所述真空吸盘吸附所述片料基材的边框时,至少一个所述吸盘孔对应一个所述通孔,至少一个所述吸盘孔不对应所述通孔。
10.根据权利要求9所述的拾取方法,其特征在于,所述片料基材为5CCM片材或7-MEA片材,所述吸盘孔的孔径为2mm~3mm,相邻两个所述吸盘孔之间的距离是5mm~10mm,所述拾取方法包括:
所述真空吸盘吸附所述片料基材的边框时,所述真空吸盘的边缘不超过所述边框的边缘。
11.一种片料基材的拾取装置,其特征在于,包括:
吸附装置,所述吸附装置的吸附头用于吸附所述片料基材;
振动装置,所述振动装置安装于所述吸附头,使所述吸附头在吸附后的所述片料基材的厚度方向上振动。
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