[发明专利]一种片料基材的拾取方法及拾取装置在审

专利信息
申请号: 201911363721.8 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111099403A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 艾波;田明星;宛朝辉;艾勇诚;段奔;钟青 申请(专利权)人: 武汉理工氢电科技有限公司
主分类号: B65H3/08 分类号: B65H3/08;B65H3/48;B65H5/08;B65H7/06;H01M8/1004
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 付兴奇
地址: 430000 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 基材 拾取 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种片料基材的拾取方法,其特征在于,包括:先使吸附装置的吸附头吸附所述片料基材,然后控制所述吸附头在所述片料基材的厚度方向上振动。

2.根据权利要求1所述的拾取方法,其特征在于,拾取所述片料基材之前,所述片料基材堆叠于料仓内,在所述吸附装置的吸附头吸附所述片料基材之前,所述拾取方法还包括:

给堆叠的所述片料基材的缝隙通离子风。

3.根据权利要求2所述的拾取方法,其特征在于,所述控制所述吸附头在所述片料基材的厚度方向上振动之后,所述拾取方法还包括:

检测所述吸附头上的所述片料基材的厚度;

如果检测到的所述厚度大于单张所述片料基材的厚度,则控制所述吸附头松开所述片料基材,然后再次使用所述吸附头吸附所述片料基材;

如果检测到的所述厚度等于单张所述片料基材的厚度,则所述吸附头保持吸附所述片料基材。

4.根据权利要求1~3任一项所述的拾取方法,其特征在于,所述片料基材为扩散层GDL片材,所述吸附装置为静电吸附装置,所述拾取方法包括:

所述静电吸附装置的静电吸盘吸附所述GDL片材以后,控制所述静电吸盘在所述GDL片材的厚度方向上振动,使远离所述静电吸盘的所述GDL片材脱离所述静电吸盘。

5.根据权利要求1~3任一项所述的拾取方法,其特征在于,所述片料基材为GDL片材,所述吸附装置为伯努利吸附装置,所述拾取方法包括:

控制所述伯努利吸附装置的伯努利吸盘与所述GDL片材的距离为预设距离,调整所述伯努利吸盘的压力,使所述伯努利吸盘吸附所述GDL片材,然后控制所述伯努利吸盘在所述GDL片材的厚度方向上振动,使远离所述伯努利吸盘的所述GDL片材脱离所述伯努利吸盘。

6.根据权利要求5所述的拾取方法,其特征在于,所述伯努利吸盘至少包括两个,所述拾取方法包括:

控制每个所述伯努利吸盘与所述GDL片材的距离为所述预设距离,调整至少两个所述伯努利吸盘的压力,使至少两个所述伯努利吸盘分别吸附所述GDL片材的同一表面的两端。

7.根据权利要求6所述的拾取方法,其特征在于,所述GDL片材堆叠于GDL料仓内,所述控制所述伯努利吸附装置的伯努利吸盘与所述GDL片材的距离为所述预设距离的步骤包括:

控制所述GDL料仓的底板上下运动,使所述GDL料仓内的最上层的所述GDL片材与所述伯努利吸盘的吸附距离为所述预设距离。

8.根据权利要求1~3任一项所述的拾取方法,其特征在于,所述片料基材包括边框,所述吸附装置为真空吸附装置,所述拾取方法包括:

所述真空吸附装置的真空吸盘吸附所述片料基材的边框以后,控制所述真空吸盘在所述片料基材的厚度方向上振动,使远离所述真空吸盘上的所述片料基材脱离所述真空吸盘。

9.根据权利要求8所述的拾取方法,其特征在于,所述边框的两侧设置有多个通孔,所述真空吸盘的周向设置有多个吸盘孔,所述拾取方法包括:

所述真空吸盘吸附所述片料基材的边框时,至少一个所述吸盘孔对应一个所述通孔,至少一个所述吸盘孔不对应所述通孔。

10.根据权利要求9所述的拾取方法,其特征在于,所述片料基材为5CCM片材或7-MEA片材,所述吸盘孔的孔径为2mm~3mm,相邻两个所述吸盘孔之间的距离是5mm~10mm,所述拾取方法包括:

所述真空吸盘吸附所述片料基材的边框时,所述真空吸盘的边缘不超过所述边框的边缘。

11.一种片料基材的拾取装置,其特征在于,包括:

吸附装置,所述吸附装置的吸附头用于吸附所述片料基材;

振动装置,所述振动装置安装于所述吸附头,使所述吸附头在吸附后的所述片料基材的厚度方向上振动。

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