[发明专利]晶柱综合检测设备在审
申请号: | 201911103629.8 | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN110823286A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 林火旺;刘立清;廖文民 | 申请(专利权)人: | 东莞市庆颖智能自动化科技有限公司 |
主分类号: | G01D21/02 | 分类号: | G01D21/02;B23K26/362;B23K26/70 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 吴成开;徐勋夫 |
地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 综合 检测 设备 | ||
本发明公开一种晶柱综合检测设备,包括有机架、存放料架、上下料装置、前升降装置、后升降装置、第一检测装置、第二检测装置、第三检测装置以及第四检测装置;该机架上由前往后依次具有第一检测工站、第二检测工站、第三检测工站和第四检测工站,且机架上设置有上输送槽和下输送槽,该上输送槽中设置有上输送机构,该下输送槽位于上输送槽的正下方,下输送槽中设置有下输送机构;通过配合利用各个装置,使得本设备可对晶柱进行高度、内部瑕疵、平行度、垂直度和宽度、重量进行自动检测,并根据检测结果进行打标和分离,取代了传统之依靠人工完成的方式,有效提高了检测效率,并可保证检测质量,为生产作业带来了便利。
技术领域
本发明涉及半导体检测领域技术,尤其是指一种晶柱综合检测设备。
背景技术
目前硅材料是电子工业中重要的半导体材料。硅是地球上最丰富的元素之一,占地壳的四分之一,以硅酸盐和氧化物的形式存在,常见的砂和砂石都是二氧化硅,只是纯度不同,以石英纯度最高。制造半导体芯片的硅片首先要经过还原制成高纯度的单质硅。作为半导体芯片材料,除了纯度高以外,还需要长成均匀、完整、无缺陷的晶体。目前普遍采用以一小颗单晶硅生长出晶体。这一颗单晶硅就像一颗“种子”,周围的硅原子会以和它一样的排列顺序在其周围生长,生成纯度高、均匀的晶体。生长出来的晶体通常为圆柱形,也称为晶柱。晶柱生长出来后,需要把它切割成片状并抛光,以制成硅晶片。
然而,晶柱在生成的过程中,由于各种因素,如参数的控制等,会使得各个晶柱的高度、重量、平行度和宽度等不一致,并且有些晶柱内部还会形成有瑕疵,因此,晶柱在生成后和出货前均需要对其进行各项指标的检测,以保证出货产品的质量;目前,对晶柱各项指标的检测主要依靠人工完成,效率低,并且检测质量难以保证。因此,有必要研究一种方案以解决上述问题。
发明内容
有鉴于此,本发明针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种晶柱综合检测设备,其可对晶柱的各项指标进行综合检测,并可保证检测质量。
为实现上述目的,本发明采用如下之技术方案:
一种晶柱综合检测设备,包括有机架、存放料架、上下料装置、前升降装置、后升降装置、第一检测装置、第二检测装置、第三检测装置以及第四检测装置;该机架上由前往后依次具有第一检测工站、第二检测工站、第三检测工站和第四检测工站,且机架上设置有上输送槽和下输送槽,该上输送槽和下输送槽均贯穿第一检测工站、第二检测工站、第三检测工站和第四检测工站,该上输送槽中设置有上输送机构,该下输送槽位于上输送槽的正下方,下输送槽中设置有下输送机构;该存放料架设置于机架的前侧;该上下料装置设置于机架上并位于存放料架的侧旁;该前升降装置设置于上输送槽的输入端和下输送槽的输出端之间;该后升降装置设置于上输出槽的输出端和下输送槽的输入端之间;该第一检测装置设置于第一检测工站内,第一检测装置包括有测距传感器,该测距传感器位于上输送槽的正上方;该第二检测装置设置于第二检测工站内,该第二检测装置包括有第一升降旋转模块、IR光源和取像模块,该第一升降旋转模块位于上输送槽的正下方,该IR光源和取像模块分别位于上输送槽的上方两侧;该第三检测装置设置于第三检测工站内,该第三检测装置包括有第二升降旋转模块和两组光电传感器,该第二升降旋转模块位于上输送槽的正下方,该两组光电传感器位于上输送槽的上方两侧并彼此正对;该第四检测装置设置于第四检测工站内,该第四检测装置包括有升降模块、称重传感器和打标机构,该升降模块位于上输送槽的正下方,该称重传感器设置于升降模块上,该打标机构位于上输送槽的上方一侧。
作为一种优选方案,所述存放料架为多层式存放料架,每一层上均设置有输送装置,且存放料架上具有升降机构,该升降机构位于上下料装置的侧旁。
作为一种优选方案,所述上下料装置为多轴式机械手。
作为一种优选方案,所述上输送槽的两侧内壁均设置有便于托盘输送的滑轮,该上输送机构为皮带式输送机构,且上输送机构为沿上输送槽延伸方向并排设置的多个。
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