[发明专利]晶圆缺陷检测对位装置在审

专利信息
申请号: 201911005266.4 申请日: 2019-10-22
公开(公告)号: CN112697703A 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 魏汝超;孙泰炎;罗仁昱;陈东林 申请(专利权)人: 超能高新材料股份有限公司
主分类号: G01N21/01 分类号: G01N21/01;G01N21/95
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 李林
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 缺陷 检测 对位 装置
【说明书】:

本发明提供一种晶圆缺陷检测对位装置,主要在于改善晶圆检测过程中,角度偏差问题。通过本发明所揭示的角度旋转装置,能达到大幅提升改善现有技术运作效率的目的。

技术领域

本发明提供一种晶圆缺陷检测对位装置,主要在于改善晶圆检测过程中,角度偏差问题。通过本发明所揭示的角度旋转装置,能达到大幅提升改善现有技术运作效率的目的。

背景技术

背景技术中,晶圆样品检测时放置如图1,检测晶圆为100,其中101为光轴中心,光源、取像装置的中心点均预设位于此轴线上,样品摆放角度102与视野范围移动方向103存在一θ角度误差104,在拍摄过程中,影像成像范围随移动方向移动时,角度误差较小者可通过软体进行结果的修正,若严重时则会遇到取像样品位于视野范围外105的状况,若发生此问题时必须配合使用与另一垂直方向修正克服,如此会耗费额外时间降低检测效率。当放大倍率需求不断提升,可视范围不断缩小的状况下,影响操作效率问题就会更加显着。

为克服晶圆摆放角度误差,专利WO2009011417A1通过一种外部检查装置,能预先对平板样品进行旋转,在被检查物旋转一周的期间,拍摄被检查物复数个位置,通过拍摄结果进行运算,可得知该被检查物与摄影装置的相对位置,后续再通过设备的取放过程,针对此检查装置求出的相对位置进行修正;但取放过程,存在不可预期的机械误差而导致对位精度不足问题依旧存在。

专利CN103811387A公开一种晶圆预对准的方法及装置,该装置内包含角度调整机构,角度调整机构直接驱动晶圆旋转或平移,以带动晶圆至需求的测试位置;此方法通过直接驱动方式修正角度,克服修正后的取放动作可能导致角度误差,但在此角度调整机构中,平移组件需携带旋转组件移动,故在平移组件不断移动的拍摄条件下,平移组件必需承受旋转组件的重力加速度,而使整体运作发生晃动不利于稳定拍摄。

因此,本发明揭示一角度旋转装置,能使样品沿光轴中心101进行旋转,待测样品直接于光学检测区域内完成对位,完成动作后即固定于样品载台上不再移动,解决背景技术中,存在取放误差,或是机构庞大,运作中容易产生晃动问题;其架构及具体实施方式如下。

发明内容

本发明的装置主要在于改善晶圆检测过程中,角度偏差问题。通过本发明所揭示的角度旋转装置,能达到大幅提升改善现有技术运作效率的目的。

为达成上述目标,本发明提供一种晶圆缺陷检测对位装置,能取得同时具有表面及穿透的影像信息,其特征在于,包含:

一光源装置,照射区域为1-400mm直径的区域;

一影像撷取装置,用以取得穿透及表面信息的影像;

一角度旋转装置,用以顶起样品并将样品旋转至适当角度,所述的适当角度为晶片切割或磊晶排列方向平行于样品检测时的移动方向,且角度旋转装置中有容纳光源装置或影像撷取装置的空间;

一检测平台,用于承载待测样品;

一运动机构,用以移动样品。

通过上述装置的组合,最终取像结果能取得具有穿透的影像信息。

其中,光源装置的波长与晶圆基材相互配合,若基板材质为硅或砷化镓,则波长选用范围为800-1700nm;氮化镓或氧化铝基板的波长选用范围为200-1100nm;碳化硅基板的波长选用范围为100-1000nm。

其中,光源装置的位置位于样品的上方或下方。

其中,影像撷取装置位于光源装置一侧,且与光源装置相对位置固定,未有相对位置的移动。

其中,检测平台为可透光设计。

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