[发明专利]放大器及放大方法有效
申请号: | 201910881500.3 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN111555726B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 林嘉亮;管继孔 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03G1/00 | 分类号: | H03G1/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 放大 方法 | ||
1.一种放大器,包括:
一第一类型的一第一电流源,依据一第一偏压从一源极节点拉入一第一偏压电流;
一共源极增益装置,用以接收一输入电压,并依据从该源极节点输出的该第一偏压电流以输出一输出电流至一漏极节点;
一负载,用以提供终端于该漏极节点;
一第二类型的一第二电流源,依据一第二偏压以输出一第二偏压电流至该漏极节点;
一第一共模网络,依据一固定转导参考电流以输出该第一偏压;及
一第二共模网络,依据该漏极节点的一电压平均值与一能隙参考电压调节的一调节参考电压之间的差值以输出该第二偏压。
2.如权利要求1所述的放大器,其中该第一共模网络包括:
一二极管连接式晶体管,依据该固定转导参考电流以一电流电压转换方式建立该第一偏压。
3.如权利要求1所述的放大器,其中该第一共模网络包括:
一共源晶体管,包括一栅极端及一第一漏极端;
一串迭晶体管,包括一第二漏极端,该串迭晶体管用以传递该固定转导参考电流至该共源晶体管,并且依据该串迭晶体管的该第二漏极端至该共源晶体管的该栅极端的一反馈信号以建立该第一偏压;及
一运算放大器,依据该共源晶体管的该第一漏极端的一电压与该源极节点的一第二电压平均值之间的差值以输出一控制电压来控制该串迭晶体管的该栅极端。
4.如权利要求1所述的放大器,其中该第二共模网络包括:
一电压调节电路,用以接收该能隙参考电压,并输出该调节参考电压;及
一第一运算放大器,依据该调节参考电压与该漏极节点的该电压平均值之间的差值以输出该第二偏压。
5.如权利要求4所述的放大器,其中该电压调节电路包括:
一晶体管,包括:
一源极端;
一漏极端;及
一栅极端;
一第一电阻器,用以耦接该晶体管的该源极端至一第一直流节点;
一第二电阻器,用以耦接该晶体管的该漏极端至一第二直流节点;及
一第二运算放大器,依据该能隙参考电压与该晶体管的该源极端的一电压之间的差值以输出一控制电压来控制该晶体管的该栅极端。
6.如权利要求5所述的放大器,其中该调节参考电压是从该晶体管的该漏极端获得。
7.如权利要求1所述的放大器,其中该第一类型的该第一电流源包括:一第一类型的一晶体管,该第一类型的该晶体管包括:
一栅极端,是由该第一偏压控制;及
一漏极端,耦接于该源极节点。
8.如权利要求1所述的放大器,其中该第二类型的该第二电流源包括:
一第二类型的一第二晶体管;及
一隔离电阻器。
9.如权利要求8所述的放大器,其中该第二类型的该第二晶体管包括:
一栅极端,是由该第二偏压控制;及
一漏极端,经由该隔离电阻器耦接至该漏极节点。
10.一种放大方法,包括:
依据一第一偏压,使用一第一类型的一第一电流源从一源极节点传导一第一偏压电流;
依据从该源极节点输出的该第一偏压电流,使用一共源极增益装置将一输入电压转换为传递至一漏极节点的一输出电流;
利用一负载作为该漏极节点的终端;
依据一第二偏压电压,使用一第二类型的一第二电流源传导一第二偏压电流至一漏极节点;
依据一固定转导参考电流,以一电流电压转换方式调整该第一偏压;
依据一能隙参考电压的调节,产生一调节参考电压;及
依据该调节参考电压与该漏极节点的一电压平均值之间的差值,以调整该第二偏压电压。
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