[发明专利]钢网开口的设计方法、钢网开口的设计装置及电子设备有效
申请号: | 201910796810.5 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN110600402B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 钱胜杰;武纪宏;刘继硕;刘丰收 | 申请(专利权)人: | 上海望友信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 毋雪 |
地址: | 201315 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开口 设计 方法 装置 电子设备 | ||
1.一种钢网开口的设计方法,其特征在于,包括:
获取器件的实物信息;
根据适配钢网开口面积和第一钢网开口面积得到最终钢网的开口面积;所述适配钢网开口面积是基于每个引脚所需锡膏体积和钢网厚度得到的;所述第一钢网开口面积为引脚底部直接与锡膏相接触的引脚的面积;判断所述适配钢网开口面积与所述第一钢网开口面积的大小关系,根据判断结果调整所述第一钢网开口面积大于所述适配钢网开口面积,将最终得到的第一钢网开口面积作为最终钢网的开口面积;
根据适配钢网开口厚度和第一钢网开口厚度得到最终钢网的开口厚度;所述适配钢网开口厚度是基于每个焊脚所需要的锡膏量得到的;所述第一钢网开口厚度是根据实物器件的引脚厚度得到的;判断所述适配钢网开口厚度与所述第一钢网开口厚度的大小关系,根据判断结果调整所述第一钢网开口厚度大于所述适配钢网开口厚度,将最终得到的第一钢网开口厚度作为最终钢网的开口厚度;
根据钢网开口的形状、所述最终钢网的开口面积和所述最终钢网的开口厚度得到最终的钢网开口。
2.根据权利要求1所述的钢网开口的设计方法,其特征在于,获取器件的实物信息,包括:
获取PCB设计数据;
从所述PCB设计数据中获取器件信息;
根据所述器件信息从器件3D实物库中查找对应器件的实物信息。
3.根据权利要求1所述的钢网开口的设计方法,其特征在于,根据所述适配钢网开口面积和第一钢网开口面积得到最终钢网的开口面积,包括:
根据所述器件的实物信息得到适配钢网开口面积;
根据所述器件的实物信息得到第一钢网开口面积;
判断所述适配钢网开口面积与所述第一钢网开口面积的关系,若所述适配钢网开口面积大于所述第一钢网开口面积,则调整所述第一钢网开口面积至第二钢网开口面积,使所述第二钢网开口面积大于等于所述适配钢网开口面积,并根据所述第二钢网开口面积得到最终钢网的开口面积。
4.根据权利要求3所述的钢网开口的设计方法,其特征在于,根据所述器件的实物信息得到适配钢网开口面积,包括:
根据所述器件的实物信息获取所述钢网开口对应引脚所需锡膏体积;
根据钢网标准厚度得到钢网厚度;
根据所述引脚所需锡膏体积和所述钢网厚度得到所述适配钢网开口面积。
5.根据权利要求3所述的钢网开口的设计方法,其特征在于,根据所述器件的实物信息得到第一钢网开口面积,包括:
根据所述器件的实物信息获取所述钢网开口对应引脚的长度和宽度;
根据所述引脚的长度和第一比例参数得到所述引脚的投影面长度;
根据所述引脚的投影面长度和第二比例参数得到所述钢网开口的长度;
根据所述引脚的宽度和第三比例参数得到所述引脚的投影面宽度;
根据所述引脚的投影面宽度和第四比例参数得到所述钢网开口的宽度;
根据所述钢网开口的长度和所述钢网开口的宽度得到所述第一钢网开口面积。
6.根据权利要求1所述的钢网开口的设计方法,其特征在于,根据适配钢网开口厚度和第一钢网开口厚度得到最终钢网的开口厚度,包括:
根据所述器件的实物信息得到所述适配钢网开口厚度;
根据所述器件的实物信息得到所述第一钢网开口厚度;
判断所述适配钢网开口厚度与所述第一钢网开口厚度的关系,若所述适配钢网开口厚度大于所述第一钢网开口厚度,则调整所述第一钢网开口厚度至第二钢网开口厚度,使所述第二钢网开口厚度大于等于所述适配钢网开口厚度,并根据所述第二钢网开口厚度得到最终钢网的开口厚度。
7.根据权利要求6所述的钢网开口的设计方法,其特征在于,根据所述器件的实物信息得到所述适配钢网开口厚度,包括:
根据所述器件的实物信息获取所述钢网开口对应引脚所需锡膏体积;
根据引脚所需锡膏体积和所述第一钢网开口面积得到所述适配钢网开口厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造