[发明专利]光电装置及其制造方法

说明书

本公开涉及一种光电装置及其制造方法。光电装置包括：衬底，所述衬底中形成有光电器件；抗反射层，所述抗反射层至少覆盖所述光电器件，所述抗反射层的厚度为沉积形成的预设厚度；第一钝化层，所述第一钝化层至少覆盖所述光电器件上方的抗反射层。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种光电装置及其制造方法。

背景技术

光电装置可以实现光信号和电信号之间的转换，在图像感测、图像显示等领域中存在着广泛的应用。在光电装置中，为了改善光信号的接收或辐射状况，通常设置有抗反射层。光的反射率与抗反射层的厚度密切相关，当抗反射层的厚度满足一定的条件时，可以得到最小的反射率，从而使尽可能多的光透射，改善光电装置的性能。然而，在光电装置的制备工艺中，精确控制抗反射层的厚度并不容易，很容易导致光电装置的性能下降。

因此存在对于新的光电装置及其制造方法的需求。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种光电装置，包括：衬底，所述衬底中形成有光电器件；抗反射层，所述抗反射层至少覆盖所述光电器件，所述抗反射层的厚度为通过沉积形成的预设厚度；第一钝化层，所述第一钝化层至少覆盖所述光电器件上方的抗反射层。

在一个实施例中，所述光电器件包括光电二极管或发光二极管。

在一个实施例中，所述光电装置还包括逻辑电路，所述逻辑电路与所述光电器件电连接，且所述逻辑电路设置在所述衬底的逻辑区中。

在一个实施例中，所述第一钝化层还覆盖所述逻辑区；所述光电装置还包括：停止层，所述停止层覆盖所述逻辑区中的所述第一钝化层；第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述停止层，其中所述逻辑区中的第一钝化层的厚度大于所述光电器件上方的第一钝化层的厚度。

在一个实施例中，所述停止层的材料与所述抗反射层的材料相同；和/或所述第二钝化层的材料与所述第一钝化层的材料相同。

在一个实施例中，所述抗反射层的材料包括氮化硅；和/或所述第一钝化层的材料包括绝缘氧化物。

在一个实施例中，覆盖于所述光电器件上方的所述抗反射层的上表面平整。

根据本公开的另一个方面，提供了一种光电装置的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底中形成有光电器件；至少在所述光电器件上方依次沉积抗反射层、第一钝化层、停止层和第二钝化层；依次刻蚀掉所述光电器件上方的第二钝化层和停止层；刻蚀所述光电器件上方的所述第一钝化层的一部分。

在一个实施例中，所述至少在所述光电器件上方依次沉积抗反射层、第一钝化层、停止层和第二钝化层的步骤包括：采用原子层沉积工艺沉积所述第一钝化层。

在一个实施例中，所述依次刻蚀掉所述光电器件上方的第二钝化层和停止层的步骤包括：采用第一刻蚀参数刻蚀所述光电器件上方的所述第二钝化层；采用第二刻蚀参数刻蚀所述光电器件上方的所述停止层；其中，所述第一刻蚀参数不同于所述第二刻蚀参数。

在一个实施例中，所述刻蚀所述光电器件上方的所述第一钝化层的一部分的步骤包括：采用第三刻蚀参数刻蚀所述光电器件上方的所述第一钝化层的一部分；其中，所述第三刻蚀参数不同于所述第二刻蚀参数。

在一个实施例中，沉积在所述光电器件上方的抗反射层的厚度保持为预设厚度。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得更为清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：