[发明专利]光电装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910361360.7 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110085684A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈峰;陈世杰;晁阳;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L33/44;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抗反射层 光电器件 光电装置 钝化层 衬底 预设 沉积 覆盖 制造 | ||
1.一种光电装置，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中形成有光电器件；
抗反射层，所述抗反射层至少覆盖所述光电器件，所述抗反射层的厚度为通过沉积形成的预设厚度；
第一钝化层，所述第一钝化层至少覆盖所述光电器件上方的抗反射层。
2.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于，所述光电器件包括光电二极管或发光二极管。
3.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于，所述光电装置还包括逻辑电路，所述逻辑电路与所述光电器件电连接，且所述逻辑电路设置在所述衬底的逻辑区中。
4.根据权利要求3所述的光电装置，其特征在于，所述第一钝化层还覆盖所述逻辑区；
所述光电装置还包括：
停止层，所述停止层覆盖所述逻辑区中的所述第一钝化层；
第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述停止层，其中所述逻辑区中的第一钝化层的厚度大于所述光电器件上方的第一钝化层的厚度。
5.根据权利要求4所述的光电装置，其特征在于，所述停止层的材料与所述抗反射层的材料相同；和/或
所述第二钝化层的材料与所述第一钝化层的材料相同。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电装置，其特征在于，所述抗反射层的材料包括氮化硅；和/或
所述第一钝化层的材料包括绝缘氧化物。
7.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于，覆盖于所述光电器件上方的所述抗反射层的上表面平整。
8.一种光电装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底中形成有光电器件；
至少在所述光电器件上方依次沉积抗反射层、第一钝化层、停止层和第二钝化层；
依次刻蚀掉所述光电器件上方的第二钝化层和停止层；
刻蚀所述光电器件上方的所述第一钝化层的一部分。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述至少在所述光电器件上方依次沉积抗反射层、第一钝化层、停止层和第二钝化层的步骤包括：
采用原子层沉积工艺沉积所述第一钝化层。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述依次刻蚀掉所述光电器件上方的第二钝化层和停止层的步骤包括：
采用第一刻蚀参数刻蚀所述光电器件上方的所述第二钝化层；
采用第二刻蚀参数刻蚀所述光电器件上方的所述停止层；
其中，所述第一刻蚀参数不同于所述第二刻蚀参数。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
