[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，包括

阵列基板；

发光层，位于所述阵列基板上；以及

封装层，位于所述发光层背离所述阵列基板一侧；

其中，所述封装层包括

第一无机薄膜层；

第一金属薄膜层，位于所述第一无机薄膜层上；

有机薄膜层，位于所述第一金属薄膜层上；

第二金属薄膜层，位于所述有机薄膜层上；以及

第二无机薄膜层位于所述第二金属薄膜层上。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一无机薄膜层和所述第二无机薄膜层通过原子层沉积方式制备。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一金属薄膜层和所述第二金属薄膜层的材料包括铝。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一金属薄膜层和所述第二金属薄膜层的厚度范围为50-150nm。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述有机薄膜层内包括掺杂颗粒，所述掺杂颗粒包括干燥剂颗粒和偶联剂。

6.一种如权利要求1-5任一项所述有机发光二极管显示装置的制作方法，包括以下步骤：

制作有机发光二极管，其为提供一阵列基板，在所述阵列基板上制作发光层，所述阵列基板及所述发光层形成有机发光二极管；

制作第一无机薄膜层，其为在所述有机发光二极管的发光层背离所述阵列基板的一侧的表面上通过原子层沉积方式制备第一无机薄膜层；

制作第一金属薄膜层，其为在所述第一无机薄膜层上制备第一金属薄膜层；

制作有机薄膜层，其为在所述第一金属薄膜层的背离所述第一无机薄膜层一侧的表面上制备有机薄膜层；

制作第二金属薄膜层，其为在所述有机薄膜层上制备一层第二金属薄膜层；

制作第二无机薄膜层，其为在所述第二金属薄膜层上过原子层沉积方式制备一层第二无机薄膜层，所述第二无机薄膜层完全包覆所述第二金属薄膜层。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，

在制作所述第一金属薄膜层的步骤前，还包括，将所述制作完成的覆盖有第一无机薄膜层的有机发光二极管显示装置经过等离子体处理所述第一无机金属膜层的表面。

8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，

在制作所述有机薄膜层的步骤中，包括，通过旋涂的方法将掺杂有干燥剂颗粒和偶联剂有机溶液涂覆在所述第一金属薄膜层背离所述无机金属一侧的表面上。

9.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，

在制作所述第二无机薄膜层的步骤之前，将制作完成的涂覆有所述第二金属薄膜层的有机发光二极管显示装置经过等离子体处理所述第二金属薄膜层背离有机薄膜层一侧的表面。

10.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，

所述第一金属薄膜层、第二金属薄膜层均采用原子沉积方法制备，其中，所述第一金属薄膜层、第二金属薄膜层的厚度均为50-150nm。