[发明专利]刻蚀槽、输送刻蚀液的方法以及刻蚀系统

说明书

本公开涉及一种刻蚀槽，该刻蚀槽包括多个输送嘴，多个输送嘴均匀地分布在刻蚀槽的底部，并且多个输送嘴被配置成并行地将刻蚀液输送到刻蚀槽中。

技术领域

本公开涉及半导体领域，具体来说，涉及一种刻蚀槽、输送刻蚀液的方法以及刻蚀系统。

背景技术

在半导体湿法刻蚀工艺中，槽式湿法刻蚀一直占据很大的比例。槽式湿法刻蚀的工艺发展至今也越发成熟和稳定。随着待刻蚀的对象(例如，硅晶圆)尺寸的加大和特征工艺尺寸的不断缩小，晶圆上薄膜的均匀性对产品的良率影响越来越大，湿法刻蚀均匀性也逐渐成为影响良率的一个关键参数。

在槽式湿法刻蚀中，待刻蚀的对象通常是成批地浸没在刻蚀槽内的刻蚀液中。常规的刻蚀槽分为内槽体和外槽体，其中内槽体的底部设置有一个进液阀门，而外槽体的底部可以设置有出液阀门。在内槽体的进液阀门开启时，刻蚀液从该进液阀门供给到内槽体中，随后在内槽体中由下至上流动，并从内槽体上部溢流到外槽体。外槽体中的刻蚀液可以从上向下地流动，然后从出液阀门流出。流出的刻蚀液可以随后再次被供给到内槽体的进液阀门，从而实现刻蚀液的循环。

由于常规的刻蚀槽仅设置一个进液阀门，所以刻蚀槽内各处的刻蚀液流是不均匀的。例如，刻蚀液在流经待刻蚀的对象的表面时流速不均匀，这将降低片内刻蚀均匀性。而且，刻蚀液流在刻蚀槽的上部和下部的波动性也是不均匀的，这种不均匀的波动性容易引起涡流而造成待刻蚀的对象的晃动，使得片间刻蚀均匀性受到影响。此外，刻蚀液流的方向也不均匀和不稳定，这会使污染物在刻蚀槽内扩散，以至于造成片间交叉污染。

因此，需要提出一种新的技术来解决上述现有技术中的一个或多个问题。

发明内容

本公开的一个目的是改善刻蚀槽内刻蚀液流的均匀性，从而改善湿法刻蚀均匀性以提高产品的良率。

根据本公开的第一方面，提供了一种刻蚀槽，该刻蚀槽包括多个输送嘴。该多个输送嘴均匀地分布在刻蚀槽的底部，并且该多个输送嘴被配置成并行地将刻蚀液输送到刻蚀槽中。

根据本公开的第二方面，提供了一种输送刻蚀液的方法，该方法包括：将刻蚀液输送给多个输送嘴；以及通过该多个输送嘴将刻蚀液并行地输送到刻蚀槽中；其中，该多个输送嘴均匀地分布在刻蚀槽的底部。

根据本公开的第三方面，提供了一种刻蚀系统，该刻蚀系统包括：根据本公开的实施例的任何一种刻蚀槽；以及刻蚀液循环处理系统。该刻蚀液循环处理系统被配置为处理来自刻蚀槽的刻蚀液并将经处理的刻蚀液并行地输送给刻蚀槽的多个输送嘴。

根据本公开的实施例的至少一个优点在于，刻蚀液的流速能够保持均匀和稳定，并且刻蚀液的流动方向能够保持稳定，从而改善流经待刻蚀的对象的表面的刻蚀液的流动特性并且不会破坏对象表面的图案。因此，本公开的实施例能够改善片内刻蚀均匀性和片间刻蚀均匀性，并且能够有效地防止片间交叉污染。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1示出了常规的刻蚀槽的示意图。

图2示出了根据本公开的实施例的刻蚀槽的示意图。

图3示出了根据本公开的实施例的第一网板的示意图。

图4A和图4B示出了根据本公开的实施例的多个输送嘴的布置方案。

图5示出了根据本公开的实施例的优选的刻蚀槽。

图6示出了根据本公开的实施例的输送刻蚀液的方法的流程图。