[发明专利]量子点图案化薄膜的制备方法及图案化薄膜

说明书

本申请公开了一种量子点图案化薄膜的制备方法，至少包括步骤：(1)获得成膜溶液S1；(2)获得用于图案化的溶液S2；(3)在基板上获得由成膜溶液S1制备的薄膜；(4)将溶液S2转移至步骤(3)中所述薄膜的像素位点上，得到所述量子点图案化薄膜；其中，所述溶液S2中含有图案化溶质；所述图案化溶质包括量子点、钙钛矿量子点前驱体中的至少一种。该方法操作简便，成本低廉，适用于工业生产，可以实现大面积量子点图案化，并且由本申请所制备的图案化薄膜可以有效地隔绝水氧，且耐化学腐蚀，具有较高的稳定性。

技术领域

本申请涉及一种量子点图案化薄膜的制备方法及图案化薄膜，属于量子点发光技术领域。

背景技术

量子点是一种纳米材料，具有很好的发光性能：半峰宽窄，发光波长可调，发光效率高，在照明，显示，激光，光电探测器，滤光等领域具有独特的应用价值。

将图案技术应用于量子点可以进一步优化基于量子点的光电器件的性能，从而增强其商业化的竞争力，量子点的图案化技术在未来的LED显示、柔性器件、探测及器件集成方面有很大的潜力。迄今为止,一系列的图案化方法已经被报道出来，常见的有模版法，光刻法，激光直写等。模版法对模版要求较高，模版的加工价格昂贵；光刻法制造工序较多，过程中常常对量子点形成破坏；激光直写一方面会破坏量子点，另一方面也很难形成高效发光且稳定的量子点图案。

因此，开发简单快速、成本低廉且稳定的量子点图案化技术成为亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请提供了一种量子点图案化薄膜的制备方法，该方法操作简便，成本低廉，适用于工业生产，可以实现大面积量子点图案化，并且由本申请所制备的图案化薄膜可以有效地隔绝水氧，且耐化学腐蚀，具有较高的稳定性。

根据本申请的一方面，提供的量子点图案化薄膜的制备方法，至少包括步骤：

(1)获得成膜溶液S1；

(2)获得用于图案化的溶液S2；

(3)在基板上获得由成膜溶液S1制备的薄膜；

(4)将溶液S2转移至步骤(3)中所述薄膜的像素位点上，得到所述量子点图案化薄膜；

其中，所述溶液S2中含有图案化溶质；

所述图案化溶质包括量子点、钙钛矿量子点前驱体中的至少一种。

本申请所提供的量子点图案化薄膜的制备方法，利用成膜溶液S1和图案化溶液S2从而形成稳定的量子点嵌入聚合物中的结构，在制备过程中，采用不同的转移方式将溶液S2转移至薄膜层上，该方法按照像素位点进行转移，适用于高分辨率图案或显示器件的制备。

可选地，可同时或分多次将多种S2溶液转移至S1所成薄膜。

可选地，所述钙钛矿量子点前驱体中包括卤化物I、卤化物II中的至少一种；

所述卤化物I选自具有式I所示化学式的化合物中的至少一种：

M¹X¹_n 式I

其中，M¹为金属阳离子，所述金属选自In、Al、Ag、Ti、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Mn中的至少一种，X¹为卤素阴离子，所述卤素选自Cl、Br、I中的至少一种，n为M的价态；

所述卤化物II选自具有式II所示化学式的化合物中的至少一种：

A¹X² 式II

其中，A¹选自铯离子、中的至少一种，X²为卤素阴离子，所述卤素选自Cl、Br、I中的至少一种；