[发明专利]晶体振动元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201880057404.0 申请日: 2018-09-11
公开(公告)号: CN111052602B 公开(公告)日: 2023-09-29
发明(设计)人: 井田有弥;指崎和彦 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/19
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王玮;张丰桥
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶体 振动 元件 及其 制造 方法
【说明书】:

晶体振动元件(10)的制造方法包含:准备晶体片(111)的工序;在晶体片(111)的中央部(117)设置第一激发电极(114a)的工序;作为保护中央部(117)的金属掩模使用第一激发电极(114a)的同时去除周边部(118)的一部分,在晶体片(111)的中央部(117)与周边部(118)之间形成第一侧面(112a)的工序;以及与第一激发电极(114a)接触地设置第一引出电极(115a)的工序,该第一引出电极(115a)向晶体片(111)的周边部(118)延伸。

技术领域

本发明涉及晶体振动元件及其制造方法。

背景技术

压电振动器安装于移动体通信器等,例如作为定时设备、负载传感器来利用。特别是,作为压电振动器之一的晶体振动器对压电体利用人工晶体,从而具有较高的频率精度。安装于晶体振动器的晶体振动元件例如通过利用光刻技术的蚀刻,对晶体片实施外形加工,并在该晶体片上图案化加工各种电极而形成。为了提高蚀刻的加工精度,研究了各种结构。

例如,在专利文献1中,公开有一种晶体振动元件的制造方法,该方法包含:将光致抗蚀剂以及耐腐蚀膜作为掩模对晶体片进行蚀刻,来设置台阶面、倾斜面的工序;去除光致抗蚀剂以及耐腐蚀膜的工序;以及将光致抗蚀剂作为掩模对金属膜进行蚀刻,并形成激发电极、引出电极等的工序。

专利文献1:日本特开2010-283660号公报

然而,当进行在晶体片上形成台阶面、倾斜面,并对晶体片的主面形成凹凸的外形形成的情况下,若在该外形形成之后形成光致抗蚀剂,则因表面张力等在晶体片的主面的角部光致抗蚀剂的膜厚变小。存在因这样的光致抗蚀剂的膜厚变动,而例如激发电极的加工精度降低的课题。

发明内容

本发明是鉴于这样的情况而完成的,本发明的目的在于提供一种能够减少振动特性的制造误差的晶体振动元件及其制造方法。

本发明的一个方式的晶体振动元件的制造方法包含:准备晶体片的工序,该晶体片具有第一主面和与第一主面对置的第二主面,并具有在俯视第一主面时位于中央侧的中央部和位于中央部的外侧的周边部;在晶体片的第一主面中的中央部设置第一激发电极的工序;作为保护中央部的金属掩模使用第一激发电极的同时去除周边部的一部分,并在晶体片的第一主面侧在中央部与周边部之间形成第一侧面的工序;以及与作为金属掩模使用的第一激发电极接触地设置第一引出电极的工序,该第一引出电极的工序在晶体片的第一主面侧向周边部延伸。

本发明的另一方式的晶体振动元件具备:晶体片,具有第一主面和与第一主面对置的第二主面,并且具有在俯视第一主面时位于中央侧的中央部和位于中央部的外侧的周边部,并在第一主面以及第二主面中的至少第一主面侧在中央部与周边部之间形成有第一侧面;第一激发电极,设置于晶体片的第一主面中的中央部;第二激发电极,设置于晶体片的第二主面中的中央部,并与第一激发电极对置;第一引出电极,与第一激发电极电连接;以及第二引出电极,与第二激发电极电连接,至少第一引出电极在俯视晶体片的第一主面时覆盖第一激发电极的至少一部分,从中央部遍及周边部延伸。

根据本发明,能够提供一种能够减少振动特性的制造误差的晶体振动元件及其制造方法。

附图说明

图1是示意性地表示第一实施方式的晶体振动器的结构的分解立体图。

图2是示意性地表示沿着图1所示的晶体振动器的II-II线的剖面的结构的剖视图。

图3是示意性地表示图2所示的晶体振动元件的结构的剖视图。

图4是示意性地表示第一实施方式的晶体振动元件的制造方法的一部分的流程图。

图5是接着图4所示的流程图,示意性地表示第一实施方式的晶体振动元件的制造方法的流程图。

图6是示意性地表示蚀刻晶体片的工序的剖视图。

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