[发明专利]晶体振动元件及其制造方法有效
申请号: | 201880057404.0 | 申请日: | 2018-09-11 |
公开(公告)号: | CN111052602B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 井田有弥;指崎和彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/19 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王玮;张丰桥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 振动 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶体振动元件的制造方法,包含:
准备晶体片的工序,该晶体片具有第一主面和与上述第一主面对置的第二主面,并具有在俯视上述第一主面时位于中央侧的中央部和位于上述中央部的外侧的周边部;
在上述晶体片的上述第一主面中的上述中央部设置第一激发电极的工序;
作为保护上述中央部的金属掩模使用上述第一激发电极的同时去除上述周边部的一部分,在上述晶体片的上述第一主面侧且在上述中央部与上述周边部之间形成第一侧面的工序;以及
与作为上述金属掩模使用的上述第一激发电极接触地设置第一引出电极的工序,该第一引出电极在上述晶体片的上述第一主面侧向上述周边部延伸,
上述第一引出电极的设置于上述中央部的部分的厚度比上述第一引出电极的设置于上述周边部的部分的厚度小。
2.根据权利要求1所述的晶体振动元件的制造方法,其中,
上述第一引出电极通过上述第一侧面。
3.根据权利要求1所述的晶体振动元件的制造方法,其中,
在俯视上述晶体片的上述第一主面时,上述第一引出电极在上述中央部覆盖上述第一激发电极的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的晶体振动元件的制造方法,其中,
设置上述第一激发电极的工序包含:
在上述晶体片的上述第一主面侧设置第一紧贴层的工序;以及
设置第一导电层的工序,该第一导电层具有比上述第一紧贴层高的导电性,并在俯视上述晶体片的上述第一主面时覆盖上述第一紧贴层。
5.根据权利要求4所述的晶体振动元件的制造方法,其中,
设置上述第一引出电极的工序包含:
在上述晶体片的上述第一主面侧设置第二紧贴层的工序;以及
设置第二导电层的工序,该第二导电层具有比上述第二紧贴层高的导电性,并在俯视上述晶体片的上述第一主面时覆盖上述第二紧贴层。
6.根据权利要求5所述的晶体振动元件的制造方法,其中,
上述第一紧贴层以及上述第二紧贴层分别由包含铬的金属材料构成,
上述第一导电层以及上述第二导电层分别由包含金的金属材料构成。
7.根据权利要求1所述的晶体振动元件的制造方法,其中,
设置上述第一引出电极的工序包含:
设置金属膜的工序;
设置覆盖上述金属膜的光致抗蚀剂的工序;
将上述光致抗蚀剂图案化为上述第一引出电极的形状的工序;以及
蚀刻上述金属膜的工序。
8.根据权利要求1所述的晶体振动元件的制造方法,其中,
设置上述第一引出电极的工序包含:
在上述晶体片的上述第一主面侧设置第一金属膜、以及覆盖上述第一金属膜的第二金属膜的工序;
设置覆盖上述第二金属膜的光致抗蚀剂的工序;
将上述光致抗蚀剂图案化为上述第一引出电极的形状的工序;
使用第一蚀刻液蚀刻上述第二金属膜以使上述第一金属膜露出的工序;以及
使用蚀刻速率与上述第一蚀刻液不同的第二蚀刻液,来蚀刻上述第一金属膜的工序。
9.根据权利要求1所述的晶体振动元件的制造方法,其中,
设置上述第一引出电极的工序包含:
在上述晶体片的上述第一主面侧配置被图案化上述第一引出电极的形状的溅射掩模的工序;以及
通过上述溅射掩模溅射金属膜的工序。
10.根据权利要求1所述的晶体振动元件的制造方法,其中,
还包含减少设置于上述中央部的电极的厚度来调整频率的工序。
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