[发明专利]铜银合金的合成方法、导通部的形成方法、铜银合金、以及导通部有效
申请号: | 201880049672.8 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN111032912B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 酒金婷;上岛稔;菅沼克昭;李万里 | 申请(专利权)人: | 千住金属工业株式会社;国立大学法人大阪大学 |
主分类号: | C23C26/00 | 分类号: | C23C26/00;C09D11/037;C09D11/52;H01B13/00;H05K3/12;C22C9/00;C22C5/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合金 合成 方法 导通部 形成 以及 | ||
1.一种铜银合金的合成方法,其特征在于,具备如下工序:
墨调制工序,将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨;
涂布工序,将所述铜银墨涂布于被涂布构件;
晶核生成工序,实施第1加热,所述第1加热以70~300℃将涂布有所述铜银墨的被涂布构件加热1~300分钟,由所述铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者;以及,
晶核合成工序,实施第2加热,所述第2加热以照射时间为1秒以内且能量密度为0.5~5.0J/cm2的脉冲光照射所述铜的晶核及所述银的晶核,对所述铜的晶核及所述银的晶核进行合成。
2.根据权利要求1所述的铜银合金的合成方法,其中,在所述晶核生成工序后且所述晶核合成工序前,将所述被涂布构件冷却至不足60℃的温度区域。
3.根据权利要求1或2所述的铜银合金的合成方法,其中,所述铜银墨还含有分散介质。
4.根据权利要求1或2所述的铜银合金的合成方法,其中,在所述涂布工序后且所述晶核生成工序前具备预加热工序,所述预加热工序以25℃以上且不足70℃进行0~10分钟的预加热。
5.根据权利要求3所述的铜银合金的合成方法,其中,在所述涂布工序后且所述晶核生成工序前具备预加热工序,所述预加热工序以25℃以上且不足70℃进行0~10分钟的预加热。
6.一种导通部的形成方法,其特征在于,具备权利要求1~5中的任一项所述的铜银合金的合成方法。
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