[实用新型]电容式压力计有效

专利信息
申请号: 201821494927.5 申请日: 2018-09-12
公开(公告)号: CN208751752U 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 何文;薛超;吴龙江;林宗贤 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: G01L1/14 分类号: G01L1/14
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;陈丽丽
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电容式压力计 金属膜片 本实用新型 压力检测腔 容纳腔 半导体制造技术 夹层区域 使用寿命 冷凝剂 填充
【说明书】:

实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种电容式压力计。所述电容式压力计包括:外壳;金属膜片,位于所述外壳围绕而成的容纳腔内,且所述金属膜片在所述容纳腔内围绕形成一压力检测腔;冷凝剂,填充于所述外壳与所述金属膜片之间的夹层区域,用于降低所述压力检测腔中的温度。本实用新型有效提高了电容式压力计的稳定性,并延长了电容式压力计的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种电容式压力计。

背景技术

随着智能手机、平板电脑等移动终端向小型化、智能化、节能化的方向发展,芯片的高性能、集成化趋势明显,促使芯片制造企业积极采用先进工艺,对制造出更快、更省电的芯片的追求愈演愈烈。尤其是许多无线通讯设备的主要元件需用40nm以下先进半导体技术和工艺,因此对先进工艺产能的需求较之以往显著上升,带动集成电路厂商不断提升工艺技术水平,通过缩小晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性,以及通过3D结构改造等非几何工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能等方式实现硅集成的提高,以迎合市场需求。然而,这些技术的革新或改进都是以晶圆的生成、制造为基础。

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。在硅晶片上可加工、制作成各种电路元件结构,而称为有特定电性功能的集成电路产品。

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)是半导体制造过程的一个重要步骤。但是,在现有的物理气相沉积工艺实施过程中,PVD机台经常受到外界温度的影响,例如与PVD机台相邻的腔室正在进行高温烘烤工艺。而在PVD机台中通常设置有用于检测PVD反应腔室内部压力的电容式压力计,外界的高温会导致所述电容式压力计温度升高,进行导致电容式压力计的显示失真。一方面,电容式压力计温度的升高,会影响电容式压力计的使用寿命,间接导致了半导体生产成本的升高;另一方面,温度的升高,会导致电容式压力计稳定性降低,不能准确反映PVD反应腔室内部的压力情况,影响半导体制程持续、稳定的进行。

因此,如何实现对电容式压力计的快速降温,以提高电容式压力计的稳定性,并延长所述电容式压力计的使用寿命,是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种电容式压力计,用于解决现有的电容式压力计稳定性较差、使用寿命较短的问题。

为了解决上述问题,本实用新型提供了一种电容式压力计,包括:

外壳;

金属膜片,位于所述外壳围绕而成的容纳腔内,且所述金属膜片在所述容纳腔内围绕形成一压力检测腔;

冷凝剂,填充于所述外壳与所述金属膜片之间的夹层区域,用于降低所述压力检测腔中的温度。

优选的,还包括散热片;所述散热片环绕所述外壳的外表面设置,用于将所述冷凝剂吸收的热量传输至外界。

优选的,所述散热片与所述外壳可拆卸的连接。

优选的,所述压力检测腔包括与反应腔室连通的第一端以及与所述第一端相对的第二端;所述第二端处具有一凹槽,使得位于所述第二端处的金属膜片与所述压力检测腔中的固定电极接触。

优选的,在沿与所述压力检测腔的轴向方向垂直的方向上,所述凹槽底部的宽度大于或等于所述固定电极的宽度。

优选的,还包括绝缘层;所述绝缘层涂布于所述金属膜片朝向所述外壳的表面。

优选的,所述外壳上具有一开口,所述冷凝剂经所述开口进入所述夹层区域。

优选的,所述冷凝剂为冷却水。

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