[发明专利]包括程序代码的计算机可读介质和制造半导体装置的方法

说明书

公开了一种包括程序代码的计算机可读介质和一种制造半导体装置的方法。程序代码在由处理器执行时使处理器执行以下步骤：在层上布置电有效图案，电有效图案具有第一宽度和第一最小余量区域；在所述层上布置第一虚设图案，第一虚设图案具有比第一宽度宽的第二宽度并且具有第二最小余量区域；以及基于电有效图案和第一虚设图案的面积的总和与所述层的面积的比是否在参考范围以内，在所述层上布置第二虚设图案，第二虚设图案具有第三宽度和第三最小余量区域。

本申请要求于2018年1月31日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0012101号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其全部包含于此。

技术领域

发明构思的实施例涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种通过使用合适的金属填充来设计半导体装置的布局的方法。

另外，发明构思的实施例涉及一种执行合适的金属填充的计算机程序以及通过该计算机程序制造的半导体装置。

背景技术

通常，出于实现执行特定功能的逻辑的目的，半导体芯片可以包括多个单元(例如，晶体管)并且可以包括使多个单元电连接的互连件。互连件可以设置在多个层之上。具体地，因为半导体芯片的高度集成使得手动布置单元与互连件是困难的或不可能的，所以布局设计工具被广泛地使用。

在多个层中布置互连件时，互连件的金属密度是非常重要的。例如，如果金属密度在层之上不均匀并且/或者金属密度在半导体制造商所要的范围之外，那么会在堆叠层的工艺中出现畸变，从而引起信号等的时序的变化并且/或者对半导体制造产量具有影响。因此，主要使用插入虚设金属的方法来使得在层之上的金属密度均匀。

然而，随着微加工技术的发展，即使通过使用存储在现有库中的虚设图案形成规则来执行金属填充，实现期望的金属密度也是困难的或不可能的。如果期望的金属密度未实现，则在最坏的情况下，会要求再次设计布局，从而造成用于开发的成本和时间的增加。因此，期望一种通过使用布局设计工具来实现有效的金属填充的方法。

发明内容

发明构思的实施例提供了一种方法，该方法防止或降低了由于不满足金属密度条件的事件随着微加工技术的发展频繁发生而使布局被不必要地再次设计的可能性。

另外，发明构思的实施例提供了一种执行合适的金属填充的计算机程序和通过该计算机程序制造的半导体装置。

根据一些示例实施例，一种计算机可读介质包括程序代码，在程序代码由处理器执行时处理器执行以下步骤：在层上布置电有效图案，电有效图案具有第一宽度和第一最小余量区域；在所述层上布置第一虚设图案，第一虚设图案具有比第一宽度宽的第二宽度并且具有第二最小余量区域；以及响应于电有效图案和第一虚设图案的面积的总和与所述层的面积的第一比在参考范围之外，在所述层上布置第二虚设图案，第二虚设图案具有第三宽度和第三最小余量区域，其中，第三宽度与第一宽度相同或比第一宽度宽，并且比第二宽度窄。

根据一些示例实施例，一种制造半导体装置的方法包括：通过使用布局设计工具在层上布置电有效图案，电有效图案具有第一宽度和第一最小余量区域；通过使用布局设计工具在所述层上布置第一虚设图案，第一虚设图案具有比第一宽度宽的第二宽度并且具有第二最小余量区域；通过使用布局设计工具，响应于电有效图案和第一虚设图案的面积的总和与所述层的面积的第一比在参考范围之外，在所述层上布置第二虚设图案，第二虚设图案具有第三宽度和第三最小余量区域；基于包括电有效图案、第一虚设图案和第二虚设图案的布局来生产掩模；以及通过使用掩模来制造半导体装置。第三宽度与第一宽度相同或比第一宽度宽，并且比第二宽度窄。