[发明专利]带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法

说明书

本发明涉及带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法。具备：描绘部，对载置于工作台的描绘对象的基板照射带电粒子束来描绘图案；标记基板，设置在工作台上，形成有标记；照射位置检测器，通过带电粒子束对标记的照射检测标记表面上的带电粒子束的照射位置；高度检测器，通过激光的照射及反射光的接受检测基板表面的高度及标记基板表面的高度；漂移校正部，根据检测出的照射位置计算标记表面上的带电粒子束的漂移量，据此计算漂移校正量；描绘控制部，使用漂移校正量校正带电粒子束的照射位置，标记基板具有形成多个标记的图案区域和未形成图案的非图案区域，非图案区域的至少一部分配置在图案区域间，高度检测器检测非图案区域内的检测点的高度。

技术领域

本发明涉及带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法。

背景技术

随着LSI的高集成化，半导体器件所要求的电路线宽逐年微细化。为了在半导体器件中形成期望的电路图案，而采用如下方法：使用缩小投影型曝光装置，将在石英上形成的高精度的原画图案(掩模，或者特别是在步进器或扫描仪中使用的情况下也称为十字线(reticle)。)缩小转印到晶片上。高精度的原画图案由电子束描绘装置描绘，使用所谓电子束光刻技术。

在电子束描绘装置中，由于各种因素，能够产生在描绘中电子束的照射位置随着时间经过而偏移的被称为射束漂移的现象。为了消除该射束漂移，进行漂移校正。在漂移校正中，用电子束扫描在工作台上配置的标记基板上形成的测定用标记，测定电子束的照射位置，求出漂移量。测定用标记例如是点形状或十字形状的金属图案。

作为描绘对象的试样(掩模)的厚度通常因公差而按每个试样而不同。另外，在载置于工作台上的标记基板产生挠曲或倾斜。因此，标记基板的表面的高度与试样的表面的高度不同，在标记表面的漂移量与试样表面的漂移量之间产生了误差。为了高精度地进行漂移校正，需要考虑标记表面的高度与试样表面的高度之差。

在电子束描绘装置中，设置有对试样表面或标记表面照射激光，从反射光的受光位置检测试样表面、标记表面的高度的检测器。若对标记基板之中的、设置有测定用标记的图案区域照射激光，则由于光的干涉等而在高度测定中产生误差，因此导致检测器向没有形成任何图案的非图案区域照射激光。

但是，由于标记基板的挠曲或倾斜，图案区域与非图案区域产生高低差。因此，由检测器检测的标记基板的表面的高度与漂移量被测定的标记表面的高度产生误差，难以高精度地进行漂移校正。

发明内容

本发明提供一种能够高精度地检测标记高度并进行漂移校正，提高图案的描绘精度的带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法。

本发明的一方式的带电粒子束描绘装置，具备：描绘部，对载置于工作台的作为描绘对象的基板照射带电粒子束来描绘图案；标记基板，设置在所述工作台上，形成有标记；照射位置检测器，通过所述带电粒子束对所述标记的照射来检测所述标记表面上的所述带电粒子束的照射位置；高度检测器，通过激光的照射及反射光的接受，检测所述基板的表面的高度及所述标记基板的表面的高度；漂移校正部，根据由所述照射位置检测器检测出的所述照射位置，计算所述标记表面上的所述带电粒子束的漂移量，并基于该漂移量计算漂移校正量；以及描绘控制部，使用所述漂移校正量来校正所述带电粒子束的照射位置，所述标记基板具有形成有多个所述标记的图案区域、以及未形成图案的非图案区域，该非图案区域的至少一部分配置在该图案区域之间，所述高度检测器检测所述非图案区域内的检测点的高度。

附图说明

图1是本发明的实施方式的电子束描绘装置的概略图。

图2是说明电子束的可变成形的图。

图3的(a)是实施方式的标记基板的俯视图，图3的(b)是标记基板的侧视图。

图4是说明实施方式的描绘方法的流程图。

图5的(a)是比较例的标记基板的俯视图，图5的(b)是侧视图。