[发明专利]一种改善SiO2

说明书

本发明涉及半导体加工技术领域。一种改善SiO₂薄膜致密性的化学气相沉积方法，其特征在于，通过履带式常压化学气相沉积装置在硅片的表面覆盖SiO₂薄膜；控制履带式常压化学气相沉积装置中履带的速度为4.8inch/min‑5.3inch/min。本专利通过优化履带的速度，经试验，履带的速度为4.8inch/min‑5.3inch/min时，相较传统的6.5的速度，SiO₂薄膜致密性明显的改善了，解决了传统常压化学气相沉积薄膜致密性差的问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及化学气相沉积方法。

背景技术

SiO₂薄膜在半导体行业中应用非常广泛，它可以用作半导体硅片的防护层，防止硅片表面被划伤。也可以用作隔离层，防止漏电。常压化学气相沉积(APCVD)技术是在400℃左右将一定比例的硅烷和氧气在反应腔体内混合，从而进行SiO₂薄膜的生长。这种方法的优点是反应简单，淀积速率快，反应温度低，缺点是反应生成的SiO₂薄膜台阶覆盖能力差，有颗粒污染，薄膜致密性差。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种改善SiO₂薄膜致密性的化学气相沉积方法，以解决上述至少一个技术问题。

本发明的技术方案是：一种改善SiO₂薄膜致密性的化学气相沉积方法，其特征在于，通过履带式常压化学气相沉积装置在硅片的表面覆盖SiO₂薄膜；

控制履带式常压化学气相沉积装置中履带的速度为4.8inch/min-5.3inch/min。

本专利通过优化履带的速度，经试验，履带的速度为4.8inch/min-5.3inch/min时，相较传统的6.5inch/min的速度，SiO₂薄膜致密性明显的改善了，解决了传统常压化学气相沉积薄膜致密性差的问题。

进一步优选为，履带的速度为5inch/min。经试验，在该速度下，效果最优。

进一步优选为，以SiH₄作为硅源，SiH₄的流量为25sccm。本专利通过将SiH₄的流量与履带的速率进行协同调整，经验证，在SiH₄流量为25sccm以及履带速率为5inch/min情况下， SiO₂薄膜的致密性明显优于其余参数下。

氧气作为氧源，氧气的流量为625sccm。

履带的温度为400℃。便于将履带的热量传递给硅片，保证气相沉积效果。

履带包括一橡胶层以及埋设在橡胶层内的网状加热丝，所述履带的内侧设有两条环状的导电环，两条导电环沿着履带的宽度方向前后设置，两条导电环均与网状加热丝相连；

所述履带套设在主动辊与从动辊的外围；

所述主动辊的径向两侧设有分别用于容纳导电环的环状凹槽，所述环状凹槽的内壁电镀有碳层，所述主动辊轴向的一端与一电机的动力输出轴传动连接，所述主动辊轴向的另一端安装有一导电滑环，所述导电滑环的电能输出端分别与所述环状凹槽内的碳层电相连；

所述履带的内壁设有齿状凸起，所述主动辊与所述从动辊的外壁上设有与齿状凸起啮合的齿状凹槽。

便于在履带传动过程中，实现履带的自加热，进而给硅片进行加热，进而保证气相沉积效果。

履带通过电机驱动，电机是一变频电机，所述变频电机的信号输入端连接一控制器，所述控制器的信号输入端连接一检测电机转速的编码器，所述编码器的转轴与所述变频电机的动力输出轴传动连接。