[发明专利]半导体封装件在审
申请号: | 201810536612.0 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN109860123A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 金汉;赵银贞;沈正虎 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/48;H01L25/065 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 祝玉媛;孙丽妍 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包封件 半导体芯片 中介层 半导体封装件 重新分布层 第二表面 第二区域 第一区域 连接电极 无效表面 有效表面 导通孔 感光绝缘材料 穿过 布线图案 第一表面 覆盖 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
中介层,具有彼此背对的第一表面和第二表面并包括具有多个第一布线图案和连接到所述多个第一布线图案的多个第一过孔的第一重新分布层;
半导体芯片,具有:有效表面,在所述有效表面上设置有连接电极;以及无效表面,与所述有效表面背对,所述半导体芯片设置在所述中介层上以使所述无效表面面对所述中介层的所述第二表面;
包封件,设置在所述中介层的所述第二表面上,所述包封件包括感光绝缘材料,并具有覆盖所述半导体芯片的所述有效表面的第一区域以及位于所述半导体芯片周围的第二区域;以及
第二重新分布层,包括:第二过孔,穿过所述包封件的所述第一区域并连接到所述连接电极;导通孔,穿过所述包封件的所述第二区域并连接到所述第一重新分布层;以及第二布线图案,设置在所述包封件上并具有与所述第二过孔和所述导通孔一体的结构。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:连接构件,所述连接构件具有设置在所述包封件上的第一表面以及与所述第一表面背对的第二表面,所述连接构件包括连接到所述第二重新分布层的第三重新分布层。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述第三重新分布层包括多个第三布线图案和连接到所述多个第三布线图案的多个第三过孔,并且
所述多个第三过孔具有朝向所述连接构件的所述第一表面减小的宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一过孔具有朝向所述中介层的所述第一表面减小的宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个第一布线图案中的与所述中介层的所述第一表面相邻的第一布线图案从所述中介层突出,所述多个第一布线图案中的与所述中介层的所述第二表面相邻的第一布线图案嵌在所述中介层中。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第二过孔和所述导通孔利用相同的金属形成。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第二过孔的与所述半导体芯片相邻的表面的面积小于所述第二过孔的与所述连接构件相邻的表面的面积。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述导通孔的与所述中介层相邻的表面的面积小于所述导通孔的与所述连接构件相邻的表面的面积。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括粘合层,所述粘合层设置在所述半导体芯片的所述无效表面和所述中介层的所述第二表面之间。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述中介层还包括散热图案,所述散热图案设置在与所述半导体芯片对应的区域中。
11.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述散热图案包括多个布线图案和多个过孔的堆叠结构。
12.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述中介层还包括导电柱,所述导电柱设置在所述导通孔的表面上并连接到所述第一重新分布层,并且
所述导通孔设置在所述导电柱上,并通过所述导电柱电连接到所述第一重新分布层。
13.根据权利要求12所述的半导体封装件,其中,所述导电柱的与所述导通孔的所述下表面交汇的表面具有比所述导通孔的所述下表面相对大的面积。
14.根据权利要求12所述的半导体封装件,其中,所述导电柱具有与安装所述半导体芯片的高度的30%至100%对应的高度。
15.根据权利要求2所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括电连接结构,所述电连接结构设置在所述连接构件的所述第二表面上并连接到所述第三重新分布层。
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