[发明专利]一种杂多配合物/钌配合物电聚合薄膜的制备及其光电性能有效
| 申请号： | 201810369995.7 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110400910B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 高丽华;叶怀尧;王克志 | 申请（专利权）人： | 北京工商大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/60;H01M14/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100048*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 杂多 配合 聚合 薄膜 制备 及其 光电 性能 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有增强光电转换性能的、稳定的杂化薄膜，是通过静电和电聚合双重作用将含三苯胺基单核钌配合物聚合到表面沉积有一层Keggin结构硼钨杂多阴离子[BW12O40]5-的导电玻璃上后得到的，其特征在于：该含三苯胺基单核钌配合物通过电聚合形成钌配位聚合物阳离子，该薄膜由该Keggin结构硼钨杂多阴离子[BW12O40]5-和该钌配位聚合物阳离子组成，其中含三苯胺基单核钌配合物的分子式为[RuL3](ClO4)2，其结构式如下：
该杂化薄膜用于光电化学电池工作电极。
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