[发明专利]气体处理系统及处理方法

说明书

本发明涉及一种气体处理系统及处理方法，系统包括排气系统的第一泵体与晶圆真空反应室连接，排气管路与第一、第二泵体连接；氮气管路与氮气供给系统以及排气管路连接，氮气管路将氮气供给系统中供应的氮气输送到排气管路稀释第一混合气体中的氧硫化碳浓度至爆炸浓度下限以下；供应至氮气管路中的氮气为从氮气供给系统供应至各厂务设备的氮气中分配出的。方法包括向晶圆真空反应室内放入晶圆并持续通入反应气体；氮气管路将氮气输送到排气管路中对氧硫化碳进行稀释；第二泵体将排气管路中的气体抽入其内部并再次稀释后排出。本发明解决了排气管路中氧硫化碳浓度过高发生爆炸以及不增加氮气供给系统负担的问题。

技术领域

本发明涉及气体处理技术领域，特别涉及一种气体处理系统及处理方法。

背景技术

在晶圆蚀刻过程中常需要用到氧硫化碳(cos)气体，但氧硫化碳气体属于易燃易爆气体，当氧硫化碳的浓度达到11.9％～29％时有可能发生自燃或爆炸。因此，在晶圆蚀刻的晶圆真空反应室之后需要增加气体稀释系统稀释晶圆真空反应室中的氧硫化碳。现有的氧硫化碳稀释过程是在抽出氧硫化碳的排气管路的末端进行的，但是由于氧硫化碳气体在刚抽入排气管路中时浓度已经能够达到13.15％，处于氧硫化碳的爆炸浓度范围内，因此容易出现安全事故，造成设备和人身危害。另一方面，为了减小安全事故的发生几率，现有的方式是在排气管路的各段衔接位置安装密封环和包裹防爆毯，以减少对设备和人身的损坏。但是由于排气管路过长且需要安装的防爆毯过多，操作人员需要高空作业进行防爆毯的安装和维护，因此极易造成坠落及管路爆炸等危险事故发生。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种气体处理系统及处理方法，以解决或缓解现有技术中存在的技术问题，至少提供一种有益的选择。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

根据本发明的一个实施例，提供一种气体处理系统，包括：

至少一排气系统，具有第一泵体、第二泵体和排气管路；所述第一泵体与一晶圆真空反应室连接，所述排气管路的进气端与所述第一泵体连接，所述第一泵体将所述晶圆真空反应室中的第一混合气体抽入所述排气管路中；所述排气管路的出气端与所述第二泵体连接；所述第一混合气体包含氧硫化碳；

氮气供给系统，用于向各厂务设备供应氮气；以及

氮气管路，与所述氮气供给系统以及所述排气管路的所述进气端连接，所述氮气管路用于将所述氮气供给系统中供应的氮气输送到所述排气管路的所述进气端处，以稀释所述第一混合气体中的所述氧硫化碳浓度至爆炸浓度下限以下；

其中，供应至所述氮气管路中的氮气为从所述氮气供给系统供应至各所述厂务设备的氮气中分配出的，且所述氮气供给系统中的氮气量未增加；所述第一混合气体经所述氮气稀释后生产第二混合气体，所述第二混合气体经由所述排气管路输送到所述第二泵体，所述第二泵体用于将所述排气管路中的第二混合气体排出。

在一些实施例中，所述厂务设备包括所述第二泵体，所述氮气供给系统为所述第二泵体供应氮气，所述第二泵体用于使用氮气将所述第二混合气体中的所述氧硫化碳再次稀释并排出所述第二泵体；

其中，供应至所述氮气管路中的氮气为从所述氮气供给系统供应至所述第二泵体的氮气中分配出的，所述氮气供给系统供应给所述氮气管路的氮气量小于供应给所述第二泵体的氮气量。

在一些实施例中，还包括：

流量控制装置，设置在所述氮气管路上，用于控制所述氮气管路中氮气的流量；

控制单元，与所述流量控制装置以及所述氮气供给系统电连接，所述控制单元用于监控所述氮气供给系统以及监测控制所述流量控制装置。