[发明专利]太阳能电池钝化膜与背面钝化太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201810304090.1 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108470778A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 王学孟;刘宗涛;吴伟梁;包杰 | 申请（专利权）人： | 顺德中山大学太阳能研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 宋南 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 钝化膜 半导体材料层 背面钝化 高功函数 制备 太阳能电池技术 氮化硅层 工艺难度 基体接触 局部接触 依次设置 制备工艺 电池 缓解 | ||
1.一种太阳能电池钝化膜，其特征在于，包括依次设置的高功函数半导体材料层和氮化硅层，所述高功函数半导体材料层用于与电池基体接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化膜，其特征在于，高功函数半导体材料层中的半导体材料的功函数大于p型硅的功函数；
优选地，高功函数半导体材料层中的半导体材料的功函数大于5eV；
优选地，高功函数半导体材料为过渡金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池钝化膜，其特征在于，所述过渡金属氧化物包括氧化钨、氧化钒、氧化锆或氧化钼中的一种或至少两种的组合。
4.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池钝化膜，其特征在于，所述高功函数半导体材料层的厚度为5-100nm。
5.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池钝化膜，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为10-150nm。
6.一种背面钝化太阳能电池，其特征在于，包括电池基体、背电极和权利要求1-5任一项所述的钝化膜，所述钝化膜位于所述电池基体与所述背电极之间，且所述钝化膜设有开孔区域，所述背电极贯通所述开孔区域与所述电池基体接触。
7.根据权利要求6所述的背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述电池基体为P型硅片。
8.根据权利要求6所述的背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述电池基体正面设有氮化硅减反膜。
9.一种权利要求6-8任一项所述的背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，在电池基体背面依次制备钝化膜和背电极，得到所述背面钝化太阳能电池。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，采用热蒸镀、原子层沉积或磁控溅射工艺在电池基体背面制备得到钝化膜的高功函数半导体材料层；
优选地，蒸镀过程中的蒸发速率为0.1-10A/s；
优选地，采用沉积工艺在所述高功函数半导体材料层表面制备得到钝化膜的氮化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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