[发明专利]基板清洗装置

说明书

本发明要求保护基板清洗装置。基板清洗机(1)具有：对基板进行保持的基板保持装置(10)；第1清洗装置(11)，其具有第1清洗部件(11a)，使该第1清洗部件与由基板保持装置(10)保持的基板(W)的第1面(WA)接触而对该面进行清洗；第2清洗装置(12)，其具有第2清洗部件(12a)，使该第2清洗部件与基板(W)的第1面(WA)接触而对该面进行清洗；以及控制装置(50)，其将第1、2清洗装置(11、12)控制成，当第1清洗部件(11a)及第2清洗部件(12a)中的一方对由基板保持装置(10)保持的基板(W)的第1面(WA)进行清洗时，使另一方处于离开基板(W)的位置。采用本发明，能用清洁的清洗部件进行清洗并能提高处理量。

本申请为下述申请的分案申请：

原申请的申请日：2014年7月18日

原申请的申请号：201410345524.4

原申请的发明名称：基板清洗机、基板清洗装置、清洗后基板的制造方法及基板处理装置

技术领域

本发明涉及一种基板清洗机、基板清洗装置、清洗后基板的制造方法及基板处理装置，尤其涉及一种用清洁的清洗部件进行清洗并缩短清洗所需的时间的基板清洗机、基板清洗装置、清洗后基板的制造方法及基板处理装置。

背景技术

半导体晶片等的基板，在对其表面进行镀铜处理、CMP(化学机械研磨)处理后，在基板表面上会残留研磨屑及浆料。因此，在研磨基板后，一般通过基板清洗装置对基板进行清洗处理。作为进行这种清洗处理的清洗装置，具有辊形或笔形的清洗部件，通过使清洗部件一边旋转一边擦在旋转的基板上而对基板进行清洗，并设有自动清洁装置，该自动清洁装置对因清洗一个基板而被污染的清洗部件予以清洁化以清洗下个基板(例如，参照专利文献1)。另外，有这样一种基板清洗装置，其构成：一边将药液供给到基板表面上，一边用笔形海绵或辊形海绵等的海绵清洗件对基板表面进行擦洗，然后，在使海绵清洗件与基板表面接触的状态下将纯水等冲洗液供给到基板表面上(例如，参照专利文献2、3)。

专利文献1：日本专利特开平10-323631号公报

专利文献2：日本专利特开2002-43267号公报

专利文献3：日本专利特开2010-74191号公报

发明所要解决的课题

近年来，随着CMP加工对象即半导体器件等的细微化、薄膜化，研磨所需的时间有缩短的倾向，清洗所需的时间也要求缩短以提高处理量。但是，随着清洗时间的缩短，若缩短实施自动清洁的时间，则有可能清洗部件的清洁化不充分。

发明内容

鉴于上述的问题，本发明的目的在于，提供一种能用清洁的清洗部件进行清洗并提高处理量的基板清洗机、基板清洗装置、清洗后基板的制造方法及基板处理装置。

用于解决课题的手段

为了实现上述目的，本发明第1形态的基板清洗机例如图1(A)、图1(B)所示，具有：基板保持装置10，该基板保持装置对具有第1面WA和第2面WB的基板W进行保持，第2面WB是第1面的相反侧的面；第1清洗装置11，该第1清洗装置具有第1清洗部件11a，并使该第1清洗部件11与由基板保持装置10保持的基板W的第1面WA接触而对第1面WA进行清洗；第2清洗装置12，该第2清洗装置12具有第2清洗部件12a，并使该第2清洗部件12a与由基板保持装置10保持的基板W的第1面WA接触而对第1面WA进行清洗；以及控制装置50，该控制装置50将第1清洗装置11及第2清洗装置12控制成，当第1清洗部件11a及第2清洗部件12a中的一方对由基板保持装置10保持的基板W的第1面WA进行清洗时，另一方处于离开由基板保持装置10保持的基板的位置。