[实用新型]一种提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置有效
申请号: | 201720888049.4 | 申请日: | 2017-07-21 |
公开(公告)号: | CN207266334U | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 李晓惠 | 申请(专利权)人: | 金杲易光电科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08;F21V29/508;F21V29/85;F21Y115/10 |
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地址: | 518101 广东省深圳市光明新区公明科裕九路*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 转换 效率 降低 led 发热量 电源 驱动 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及LED灯技术领域,具体的说是涉及一种提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置。
背景技术
发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,碳化硅二极管发黄光,氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。无土栽培:无土栽培是以草炭或森林腐叶土、膨胀蛭石等轻质材料做育苗基质固定植株,让植物根系直接接触营养液,采用机械化精量播种一次成苗的现代化育苗技术。选用苗盘是分格室的,播种一格一粒,成苗一室一株,成苗的根系与基质互相缠绕在一起,根坨呈上大下小的塞子形,一般叫穴盘无土育苗。
现今发光二极管光源LED已发展成熟,并广泛应用于植物生长方面,如提供植物所需的红、蓝LED光源,可直接栽培植物至成熟,其他如紫外光、红外光、黄光与绿光等也能辅助植物生长。传统的LED灯光转换效率较低,能耗较大,需要改进。
实用新型内容
针对现有技术中的不足,本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置。
为解决上述技术问题,本实用新型通过以下方案来实现:一种提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置,该电源驱动装置包括LED驱动电路和散热装置,所述LED驱动电路接入市电,火线L端经保险丝T1A至有载调压线圈T1,所述有载调压线圈T1的输出端连接电感器L1、电感器L2,所述电感器L1、电感器L2分别并联有电阻RL1、电阻RL2,经两个电感器后的电路之间依次电连接有压敏电阻VDR、电容CX2,最后连接至第二个变压器T2,所述第二个变压器T2输出端连接有晶体二极管桥式整流电路的1#线路和2#线路,所述桥式整流电路2#线路分别电性连接有并联的电感器L3、电阻R3,所述电感器L3、电阻R3并联后的输出端与所述桥式整流电路4#线路之间的电路分别连接有:
串联的电阻R42、电容C1,所述电容C1的一端连接所述桥式整流电路4#线路端;
串联的电容C16、电阻R43,所述电阻R43的一端连接所述桥式整流电路4#线路端,所述电容C16、电阻R43之间的电路节点上连接有耗尽型N-MOS场效应管Q1的漏极,所述耗尽型N-MOS场效应管Q1的源极连接所述桥式整流电路4#线路端,其栅极连接电阻R44,所述电阻R44的另一端连接电容C8,所述电容C8的另一端连接所述桥式整流电路4#线路端;
电容C2;
所述桥式整流电路4#线路端接地;
所述电阻R44与所述电容C8之间的电路节点上连接调光LED控制器U1的DAMP端;
所述电感器L3、电阻R3并联后的输出端电路还连接有二极管D1、稳压二极管ZD1、电阻R4、电阻R32、电阻R38、电阻R37、电容C15、有载调压线圈T2A;
所述二极管D1的另一端连接晶振器C3、电阻R9,所述电阻R9的另一端连接电阻R10,所述电阻R10的另一端连接电阻R8、电阻R11,所述晶振器C3的另一端连接NPN型三极管Q5的发射极、电阻R11的另一端、电阻R6、电容C4,所述电阻R8的另一端连接NPN型三极管Q5的基极,所述NPN型三极管Q5的集电极连接电阻R7,所述电阻R7的另一端连接电阻R6的另一端、电容C4的另一端、调光LED控制器U1的MUTL端、电阻R2、电阻R5,所述电阻R2的另一端连接电阻R1,所述电阻R1的另一端连接稳压二极管ZD1的正极端,所述电阻R5的另一端连接所述电阻R4的另一端;所述电阻R32的另一端连接电阻R36,所述电阻R36的另一端连接电阻R33,所述电阻R33的另一端连接电容C14、稳压二极管ZD3,所述电容C14、稳压二极管ZD3的另一端互连,互连后接地;所述电阻R38、电阻R37、电容C15的另一端互连,互连后的电路连接电阻R35,所述电阻R35的另一端连接二极管D7的负极,所述二极管D7的正极端连接耗尽型N-MOS场效应管Q2的漏极,所述耗尽型N-MOS场效应管Q2的源极连接二极管D6的正极,所述二极管D6的负极连接电阻R34、所述稳压二极管ZD3的负极端、二极管D8的负极端,所述电阻R34的另一端连接所述耗尽型N-MOS场效应管Q2的栅极,所述耗尽型N-MOS场效应管Q1的漏极连接有载调压线圈T2A;所述耗尽型N-MOS场效应管Q2的源极连接所述调光LED控制器U1的D极;
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