[实用新型]阈值可配置的过流保护电路

权利要求书

1.一种阈值可配置的过流保护电路，其特征在于，包括采集模块、信号转换模块、电压比较模块、数模转换模块和程控自锁模块；所述采集模块与信号转换模块相连接；所述信号转换模块的输出端和数模转换模块的输出端分别接入电压比较模块的输入端；所述电压比较模块的输出端与程控自锁模块相连接；

所述电压比较模块包括比较器、反向施密特触发器和光耦；所述比较器的输出端连接反相施密特触发器的输入端；所述反相施密特触发器的输出端与光耦相连接；所述光耦连接程控自锁模块。

2.根据权利要求1所述的阈值可配置的过流保护电路，其特征在于，所述采集模块采用双运算放大器LM358采集采样电流。

3.根据权利要求2所述的阈值可配置的过流保护电路，其特征在于，所述运算放大器的输出端连接信号转换模块输入端；采样电流转换，信号转换模块内部电路转换为采样电压。

4.根据权利要求1所述的阈值可配置的过流保护电路，其特征在于，数模转换模块采用型号为DAC8554的数模转换器，所述数模转换器的输入端连接第一直流电压源；通过数模转换器内部转换，在输出端输出参考电压。

5.根据权利要求1所述的阈值可配置的过流保护电路，其特征在于，比较器的同向输入端连接信号转换模块输出端的采样电压，反向输入端数模转换器输出端的参考电压。

6.根据权利要求1所述的阈值可配置的过流保护电路，其特征在于，所述反向施密特触发器的型号为74HC14D。

7.根据权利要求1所述的阈值可配置的过流保护电路，其特征在于，所述程控自锁模块由PNP三极管与N沟道的场效应管MOS-N管组成，所述PNP三极管的基极与光耦的输出端相连接；所述PNP三极管的集电极与N沟道的场效应管MOS-N管的栅极相连，所述PNP三极管的射极与N沟道的场效应管MOS-N管的源极相连。