[实用新型]一种基板研磨装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种基板研磨装置，具备垫整修器，向研磨垫提供用于基板研磨的研磨液，同时整修研磨垫。

背景技术

半导体元件的制造中，需要磨光(buffing)及清洗的化学机械抛光CMP(chemical mechanical polishing)工程。半导体元件以多层结构的形态，基板层中配置有具扩散区域的晶体管。在基板层中，连接金属线被图案化，并与形成性能元件的晶体管电连接。如公开的，图案化的电导层为类似二氧化硅的绝缘材料，与其他电导层绝缘。由于更过的金属层及与其相关的绝缘层被形成，因此使绝缘材料平坦的必要性不断增加。当不平坦时，由于表面形态中的多个变化，附加的金属层制造实际上变得更加困难。此外，金属线图案由绝缘材料形成，金属研磨工程使过多的金属物被去除。

基板研磨装置，作为将基板的一面或两面研磨、磨光及清洗的构成要素，具有带、研磨垫、或是具有刷子的研磨垫。研磨剂则用来促进并强化基板研磨工程。

现有的基板研磨装置中，已知的带型基板研磨装置由安装在2个圆筒上的带型研磨垫构成。带型基板研磨装置中，基板被安装在载体上，载体往一个方向直线移动，且带型研磨垫随着顺时针方向或逆时针方向的旋转，以在基板上施加一定的力的状态被贴紧来执行研磨。

同时，在使用带型的研磨垫的基板研磨装置中，需要一种用于整修带型研磨垫的新方式的整修方式及垫整修器。

一般，现有的基板研磨装置，垫整修装置和研磨液提供装置另外构成。现有的研磨液提供装置以线接触的状态来提供研磨液，随着基板面积的增加，提供研磨液的装置的长度须增长，且研磨液的提供量变得不均匀，由此发生研磨不均匀。此外，利用现有的研磨液提供装置时，研磨液的消耗量被较大地增加。此外，现有的垫整修装置是使具有含圆形钻石的硬质粒子的圆盘旋转及扫掠，从而来整修研磨垫的表面。利用这种现有的垫整修装置时，相比整个研磨垫，圆盘的尺寸较小，因此圆盘及研磨垫中发生负荷，且研磨垫的整修不均匀地被执行，由此基板研磨率较差。

实用新型内容

技术课题

根据本实用新型的实施例，提供一种基板研磨装置，具备垫整修器，在带型研磨垫中，提供基板研磨的研磨液并整修研磨垫。

本实用新型解决的技术课题并不局限于上述的课题，本领域的技术人员应理解，根据以下记载还可解决其他技术课题。

技术方案

为了实现上述本实用新型的目的，根据本实用新型的实施例提出一种基板研磨装置，包括：一对驱动滚轴；研磨垫，被围在所述驱动滚轴进行旋转；和基板载体，安装有基板；垫整修器；配置在所述研磨垫的上部，在进行所述基板的研磨时，向所述研磨垫提供研磨液，且在进行所述研磨垫的整修时，整修所述研磨垫。

根据一个侧面，所述垫整修器包括：壳体；和刷子，配置在所述壳体的底面。其中，所述壳体的底面配置有用于提供研磨液的多个研磨液提供孔，且所述刷子，配置在所述研磨液提供孔之间，经所述研磨液提供孔提供的研磨液，通过所述刷子，被涂抹至所述研磨垫。

根据一个侧面，所述刷子的端部以相同的长度形成，从而在相同的平面上与所述研磨垫接触。或是，所述刷子的端部以至少两种长度形成，从而在不同的平面上与所述研磨垫接触。

根据一个侧面，所述壳体可具有对应于所述研磨垫宽度方向的长度。此外，所述壳体的底面，与所述研磨垫相对且平坦地被形成。

根据一个侧面，所述垫整修器，针对所述研磨垫的旋转方向，以前后方向进行直线移动的扫掠动作。此外，所述垫整修器，对于所述研磨垫表面，以垂直轴为中心，在一定的角度内进行正方向及反方向旋转的摇动。

根据一个侧面，所述研磨垫内侧，可配置有支撑所述研磨垫内周的研磨垫支撑部。所述研磨垫支撑部，在所述研磨垫内侧中，下部配备有第一支撑部以对应于所述基板，且上部配备有第二支撑部以对应于所述垫整修器。所述垫整修器，可配置在对应于所述第二支撑部的位置中。

根据一个侧面，所述基板载体，以所述基板的非研磨面朝上的状态来安装所述基板，且往所述研磨垫下部水平方向地移动。

技术效果

本实用新型的多种实施例可具有以下效果中的一个以上。

如上所述，根据本实用新型的实施例，刷子形态的垫整修器中，可提供基板研磨的研磨液同时执行研磨垫的整修。

此外，由于能够以一定的量来提供研磨液，并以最少流量来提供研磨液，因此不仅可均匀地提供研磨液，还可将研磨液均匀地提供至较宽阔的面积，并以最少流量来提供研磨液。