[发明专利]基于石墨烯多谐振结构的极化不依赖宽带太赫兹吸波器

权利要求书

1.基于石墨烯多谐振结构的极化不依赖宽带太赫兹吸波器，其特征在于由5层结构构成，从上至下依次为周期性石墨烯多谐振网状结构层、上介质层、偏压层、下介质层和金属层；所述周期性石墨烯多谐振网状结构层的单元结构的横向周期和纵向周期均为正方形，石墨烯多谐振结构由三部分组成，分别是位于单元结构中央且以单元结构四边的中点连接组成的正方形样式的石墨烯，位于单元结构四角的4个四分之一圆盘形石墨烯，以及位于单元结构四条边上的矩形条带石墨烯组成；所述上介质层和下介质层采用聚乙烯环烯烃共聚物。

2.如权利要求1所述基于石墨烯多谐振结构的极化不依赖宽带太赫兹吸波器，其特征在于所述聚乙烯环烯烃共聚物选自Topas绝缘体。

3.如权利要求1所述基于石墨烯多谐振结构的极化不依赖宽带太赫兹吸波器，其特征在于所述偏压层采用多晶硅介电常数接近介质的导电材料。

4.如权利要求1所述基于石墨烯多谐振结构的极化不依赖宽带太赫兹吸波器，其特征在于所述金属层的材料采用银。

5.如权利要求4所述基于石墨烯多谐振结构的极化不依赖宽带太赫兹吸波器，其特征在于所述金属层的厚度大于入射波的趋肤深度。