[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

向腔室中同时通入硒化氢气体和惰性气体，在第一功率下和第一时间段内通过磁控溅射工艺向室温下的基板溅射铜镓靶材和铟靶材；

提高所述基板的温度至预设温度，在第二时间段内通过磁控溅射工艺向所述基板溅射铜镓靶材和铟靶材；

将所述第一功率提升至第二功率，在所述预设温度条件下以及在第三时间段内通过磁控溅射工艺向所述基板溅射铜镓靶材和铟靶材，以形成铜铟镓硒吸收层。

2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述将所述第一功率提升至第二功率，在所述预设温度条件下以及在第三时间段内通过磁控溅射工艺向所述基板溅射铜镓靶材和铟靶材，以形成铜铟镓硒吸收层之后，所述方法还包括：

对所述铜铟镓硒吸收层进行保温退火处理。

3.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述向腔室中同时通入硒化氢气体和惰性气体，在第一功率下和第一时间段内通过磁控溅射工艺向室温下的基板溅射铜镓靶材和铟靶材之前，所述方法还包括：

遮挡所述基板的全部位置；

向所述腔室中通入所述惰性气体，在所述第一功率下和第四时间段内通过磁控溅射工艺向遮挡后的所述基板持续溅射铜镓靶材和铟靶材。

4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述向腔室中同时通入硒化氢气体和惰性气体，在第一功率下和第一时间段内通过磁控溅射工艺向室温下的基板溅射铜镓靶材和铟靶材具体包括：

向腔室中同时通入硒化氢气体和惰性气体，在溅射功率为70W的条件下通过磁控溅射工艺向室温下的基板持续溅射铜镓靶材和铟靶材5min。

5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述提高所述基板的温度至预设温度，在第二时间段内通过磁控溅射工艺向所述基板溅射铜镓靶材和铟靶材具体包括：

提高所述基板的温度至500～550度，通过磁控溅射工艺向所述基板持续溅射铜镓靶材和铟靶材15min。

6.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述将所述第一功率提升至第二功率，在所述预设温度条件下以及在第三时间段内通过磁控溅射工艺向所述基板溅射铜镓靶材和铟靶材具体包括：

将溅射功率由70W提升至80W，在温度为500～550度的条件下通过磁控溅射工艺向所述基板溅射铜镓靶材和铟靶材25min。

7.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。

8.根据权利要求7所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述硒化氢气体与所述氩气的气体流量比例范围为0.1～10。

9.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述铜镓靶材和所述铟靶材之间形成的溅射角度为140°～145°。

10.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，向所述腔室中同时通入硫化氢气体。