[发明专利]电平转接电路及包含其的集成电路芯片、空调器

说明书

本发明公开一种空调器、电平转接电路及包括其的集成电路芯片，该电平转接电路连接在低压信号与高压信号之间，包括高压侧MOS管栅源控制模块及高压侧MOS管，所述高压侧MOS管栅源控制模块的输入采集端与低压信号连接，所述高压侧MOS管栅源控制模块的输出控制端分别与高压侧MOS管的栅极、源极连接，所述高压侧MOS管的漏极与高压信号连接。通过高压侧MOS管栅源控制模块采集低压信号，并转换为相应的稳定的电压信号，输出至高压侧MOS管的栅极和源极之间。通过该电平转接电路，将栅源电压的电流控制转变为电压控制，克服了传统电路依赖电流源的电流值设置不合理而导致的电路不良问题，提高电路控制的精确度。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种电平转接电路及包括其的集成电路芯片、空调器。

背景技术

现有的高压集成电路是一种带有欠压保护、逻辑控制等功能的栅极驱动电路，它将电力电子与半导体技术结合，逐渐取代传统的分立元件，越来越多地被应用在IGBT、大功率MOSFET的驱动领域。压集成电路的核心部分是电平转换电路，该电路的功能是在同一晶圆上将对地低压信号转换成对高压信号。

目前应用于高压集成电路的电平转换电路采用恒定电流源控制高压MOS管导通的形式，现行的传统电平转换电路的设计关键在于镜像电流I值的设置。若I设计值过小，则高压MOS管无法达到饱和状态而不导通；若I值设计过大，则会导致高压MOS管被击穿。而I设计得是否合适，取决于高压MOS管的导通电阻，决定高压MOS管导通电阻的因素很多，包括高压MOS管漂移区扩散深度、宽度，漂移区掺杂，漂移区结构，源区掺杂，漏区长度、掺杂浓度，衬底掺杂，栅极过量电荷等等，高压MOS管导通电阻表现出来的温度特性也较为复杂。对于部分BCD工艺而言，生产出的高压MOS管的导通电阻离散性较大，I值难以确定，对于固定的I值，经常会因为I值过小而使电平无法转移，或者I值过大而造成芯片烧毁。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种电平转接电路，旨在提高电路控制的精准度。

为实现上述目的，本发明提出的电平转接电路，连接在低压信号与高压信号之间，该电平转接电路包括高压侧MOS管栅源控制模块及高压侧MOS管，所述高压侧MOS管栅源控制模块的输入采集端与低压信号连接，所述高压侧MOS管栅源控制模块的输出控制端分别与高压侧MOS管的栅极、源极连接，所述高压侧MOS管的漏极与高压信号连接。

优选地，所述高压侧MOS管栅源控制模块包括低压信号采集单元、电压调节单元以及电压源单元，所述电压源单元的输入端、输出端为高压侧MOS管栅源控制模块的输出控制端，所述电压源单元的输入端与高压侧MOS管的栅极连接，所述电压源单元的输出端与高压侧MOS管的源极连接；所述低压信号采集单元的输入采集端与低压信号连接，所述低压信号采集单元的输出端与电压调节单元的输入端连接，所述电压调节单元的输出端与所述电压源单元的输入端连接。

优选地，所述电压调节单元包括第一MOS管、第二MOS管和第一电阻，所述第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极、低压信号采集单元的输出端连接，所述第一MOS管的源极与供电电源连接，所述第一MOS管的漏极与第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的源极接地；所述第一电阻与所述第二MOS的漏极之间的公共连接端作为所述电压调节单元的输出端与所述电压源单元的输入端连接。

优选地，所述第一MOS管为P型MOS管，所述第二MOS管为N型MOS管。

优选地，所述低压信号采集单元包括脉冲发生器，脉冲发生器的输入端与低压信号连接，所述脉冲发生器的输出端与电压调节单元的输入端连接。

优选地，所述低压信号采集单元还包括反相器，所述反相器连接在脉冲发生器的输出端与电压调节单元的输入端之间。