[发明专利]一种占空比稳定和低抖动时钟电路有效

专利信息
申请号: 201711346925.1 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN108199699B 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 薛培帆;张铁良;杨松;王宗民;崔伟;赵进才;王星树 申请(专利权)人: 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
主分类号: H03K5/02 分类号: H03K5/02;H03K5/156
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 范晓毅
地址: 100076 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 稳定 抖动 时钟 电路
【权利要求书】:

1.一种占空比稳定和低抖动时钟电路,其特征在于包括:所述的时钟电路包括时钟驱动放大器(201)、电荷泵(202)、输出时钟下降沿触发电路(203)、输出时钟上升沿触发电路(204)、输出时钟波形稳定电路(205)以及电荷泵锁相环(206);其中,

时钟驱动放大器(201)对片外差分时钟输入进行整形得到整形信号,并将整形信号输出至输出时钟下降沿触发电路(203);

电荷泵(202)接收输出时钟波形稳定电路(205)输出的反馈时钟,检测该反馈时钟的占空比,产生与之对应的控制电压,并将控制电压输出至输出时钟上升沿触发电路(204);

输出时钟下降沿触发电路(203)接收时钟驱动放大器(201)输出的整形信号和输出时钟波形稳定电路(205)输出的反馈时钟,产生下降沿控制脉冲,并将下降沿控制脉冲输出至输出时钟波形稳定电路(205);

输出时钟上升沿触发电路(204)接收电荷泵(202)产生的控制电压和输出时钟波形稳定电路(205)输出的反馈时钟,产生上升沿控制脉冲,并将上升沿控制脉冲输出至输出时钟波形稳定电路(205);

输出时钟波形稳定电路(205)接收下降沿控制脉冲、上升沿控制脉冲以及自身输出的反馈时钟,产生输出时钟,并将输出时钟输出至电荷泵锁相环(206);

电荷泵锁相环(206)接收输出时钟波形稳定电路(205)的输出时钟,产生高速低抖动时钟信号。

2.根据权利要求1所述的占空比稳定和低抖动时钟电路,其特征在于:所述输出时钟下降沿触发电路(203)包括:M1a MOS管、M2a MOS管、M3a MOS管、M4a MOS管、INV1a反相器和NOR1a或非门;其中,

输出时钟CLK_OUT的反相延迟信号I34_ZN分别连接至M2a MOS管和M3a MOS管的栅极,M1a MOS管的源极连接电源,M1a MOS管的漏极连接M2a MOS管的源极,M2a MOS管的漏极和M3a MOS管的漏极连接至反相器INV1a的输入端,M3a MOS管的源极接地,INV1a反相器的输出端I21_ZN和输入时钟的同相延迟信号I18_ZN分别连接至NOR1a或非门的两个输入端,NOR1a或非门的输出端I27_ZN连接至M4a MOS管的栅极,M4a MOS管的漏极接地,M4a MOS管的源极连接输出时钟CLK_OUT。

3.根据权利要求1所述的占空比稳定和低抖动时钟电路,其特征在于:所述输出时钟上升沿触发电路(204)包括:M1b MOS管、M2b MOS管、M3b MOS管、M4b MOS管、M5b MOS管、M6bMOS管、M7b MOS管、M8b MOS管、M9b MOS管、M10b MOS管、M11b MOS管、INV1b反相器、INV2b反相器、INV3b反相器、INV4b反相器和NAND1b与非门;其中,

输出时钟CLK_OUT的反相延迟信号I34_ZN分别连接至M1b MOS管、M2b MOS管、M8b MOS管和M9b MOS管的栅极,M1b MOS管、M4b MOS管、M8b MOS管和M11b MOS管的源极连接电源,M1b MOS管的漏极和M2b MOS管的源极相连结点为M125_D,通过大电容接地,结点M125_D连接M5b MOS管和M6b MOS管的栅极,M2b MOS管的漏极连接M3b MOS管的漏极,M3b MOS管的栅极接电压VZ,M4b MOS管和M7b MOS管的栅极连接INV1b反相器的输出端,M4b MOS管的漏极连接M5b MOS管的源极,M5b MOS管的漏极和M6b MOS管的漏极M128_D连接INV1b反相器的输入端,M6b MOS管的源极连接M7b MOS管的漏极,INV1b反相器、INV2b反相器和INV3b反相器串联,INV3b反相器的输出端连接M10b MOS管的栅极,M8b MOS管的漏极和M9b MOS管的源极连接INV4b反相器的输入端,M9b MOS管的漏极连接M10b MOS管的漏极,INV4b反相器的输出端I23_ZN和INV2b反相器的输出端I38_ZN分别连接NAND1b与非门的两个输入端,NAND1b与非门的输出端I28_ZN连接M11b MOS管的栅极,M3b MOS管、M7b MOS管和M10b MOS管的源极接地。

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