[发明专利]瞬态电压抑制器及其制作方法

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的N型外延、形成于所述N型外延上的P型外延、形成于所述P型外延上的氧化硅层、贯穿所述氧化硅层、所述P型外延并延伸至所述N型外延中的沟槽、形成于所述沟槽底部的N型外延上的P型注入区、形成于所述沟槽侧壁的氧化硅、形成于所述沟槽中的氧化硅及所述P型注入区表面的多晶硅、贯穿所述氧化硅的第一通孔与第二通孔、形成于所述P型外延表面且对应所述第一通孔的第一N型注入区、形成于所述P型外延表面且对应所述第二通孔的第二N型注入区。

2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器还包括第一金属，所述第一金属包括第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分、第二部分及第三部分分别还连接所述第一N型注入区、第二N型注入区及所述多晶硅。

3.如权利要求2所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器还包括第二金属，所述第二金属形成于所述P型衬底远离所述N型外延的表面。

4.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述沟槽位于所述第一通孔与所述第二通孔之间。

5.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述第一N型注入区的深度与所述第二N型注入区的深度相等。

6.一种瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底上依序形成N型外延、P型外延、氧化硅层，形成贯穿所述氧化硅层、所述P型外延并延伸至所述N型外延中的沟槽；

进行热氧化，在所述沟槽内壁形成氧化硅；

去除所述沟槽底部的氧化硅；

利用所述沟槽对所述N型外延表面进行P型离子注入从而在所述沟槽底部的N型外延表面形成P型注入区；

在所述沟槽中及所述氧化硅层上方形成多晶硅层；

去除所述沟槽上部邻近所述氧化硅层的多晶硅及所述氧化硅层上方的多晶硅，所述沟槽下部的多晶硅被保留；及

使用光刻胶作为掩膜，刻蚀所述氧化硅层形成贯穿所述氧化硅层的第一通孔与第二通孔，利用所述第一通孔及所述第二通孔进行N型离子注入，从而在所述P型外延表面形成对应所述第一通孔的第一N型注入区及对应所述第二通孔的第二N型注入区。

7.如权利要求6所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述方法还包括以下步骤：

形成第一金属，所述第一金属包括第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分、第二部分及第三部分分别还连接所述第一N型注入区、第二N型注入区及所述多晶硅。

8.如权利要求6所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述方法还包括以下步骤：在所述P型衬底远离所述N型外延表面形成第二金属。

9.如权利要求6所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述沟槽位于所述第一通孔与所述第二通孔之间。

10.如权利要求6所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述第一N型注入区的深度与所述第二N型注入区的深度相等。