[发明专利]一种气体水合物晶体培养装置有效

专利信息
申请号: 201711288593.6 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN108130146B 公开(公告)日: 2020-07-21
发明(设计)人: 周雪冰;梁德青;龙臻;申小冬 申请(专利权)人: 中国科学院广州能源研究所
主分类号: C10L3/10 分类号: C10L3/10
代理公司: 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 代理人: 莫瑶江
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 气体 水合物 晶体 培养 装置
【权利要求书】:

1.一种气体水合物晶体培养装置,其特征在于,包括移动台架(1)、温度控制系统、压力控制系统、数据采集系统和耐高压晶体培养皿(5),所述耐高压晶体培养皿(5)、所述温度控制系统、所述压力控制系统和所述数据采集系统均安装于所述移动台架(1)上;

所述耐高压晶体培养皿(5),包括耐高压晶体培养皿本体(5d),所述耐高压晶体培养皿本体(5d)的上端设有入射激光窗口端盖(5a),下端设有耐高压晶体培养皿固定支架(5b),内部设有耐高压腔体(5x),所述入射激光窗口端盖(5a)下方设有入射激光窗口玻璃(5c),所述入射激光窗口玻璃(5c)两侧分别为所述耐高压腔体(5x)进气口和排气口,所述进气口连通加长进气管,所述耐高压腔体(5x)外侧设有冷却液夹套(5y),冷却液的进口和出口位于冷却液夹套(5y)底部中央,所述耐高压腔体(5x)侧壁底部设有载物台,所述耐高压腔体(5x)两侧面对称分布耐高压腔体窗口玻璃(5f),所述耐高压腔体窗口玻璃(5f)外设有耐高压腔体窗口端盖(5e);所述移动台架(1)上与所述耐高压晶体培养皿(5)相对的两个侧面玻璃采用电磁液晶调光玻璃;在晶体生长过程中,关闭电磁液晶调光玻璃,防止外界环境辐射对水合物晶体生长过程的影响;

所述温度控制系统,包括低温恒温槽(3)和冷却液软管(6),所述低温恒温槽(3)通过所述冷却液软管(6)与所述耐高压晶体培养皿(5)相连通,所述耐高压晶体培养皿(5)上端设有耐高压晶体培养皿热电偶温度计(7)和耐高压晶体培养皿压力传感器(12);

所述压力控制系统,包括高压软管(9)、真空泵针阀(15)、进气缓冲罐(18)、排气缓冲罐(20)和真空泵(8),所述耐高压晶体培养皿(5)通过所述高压软管(9)分别与所述进气缓冲罐(18)和所述排气缓冲罐(20)相连通,所述高压软管(9)上分别设有进气口针阀(11)和排气口针阀(10),所述进气缓冲罐(18)和所述排气缓冲罐(20)之间设有旁通针阀(19),所述真空泵(8)通过所述真空泵针阀(15)与排气口针阀(10)相连通,所述进气缓冲罐(18)上设有进气缓冲罐压力传感器(16)和进气缓冲罐热电偶温度计(17),所述排气缓冲罐(20)上设有排气缓冲罐热电偶温度计(21)和排气缓冲罐压力传感器(22);

所述数据采集系统,包括热电偶温度计和压力传感器,所述移动台架(1)上设有无纸记录仪(2),所述热电偶温度计和所述压力传感器将数据传输到所述无纸记录仪(2)上,所述耐高压晶体培养皿(5)前方设有精密定位平台(14),所述精密定位平台(14)上设有摄像头(13);当耐高压晶体培养皿(5)中的溶液处于过饱和状态,通过精密定位平台(14)调节摄像头的拍摄角度并开始录像;

所述耐高压晶体培养皿(5)及其内部的耐高压腔体(5x)均呈扁圆柱形。

2.根据权利要求1所述气体水合物晶体培养装置,其特征在于,所述移动台架(1)采用铝合金骨架。

3.根据权利要求1所述气体水合物晶体培养装置,其特征在于,所述耐高压晶体培养皿固定支架(5b)为中空结构,所述低温恒温槽(3)通过所述冷却液软管(6)经过所述耐高压晶体培养皿固定支架(5b)的中空结构与所述耐高压晶体培养皿(5)相连通。

4.根据权利要求1所述气体水合物晶体培养装置,其特征在于,所述载物台为可拆卸部件;所述载物台采用黄铜制作,呈“工”字形结构;所述载物台上端面包覆一层聚四氟乙烯材料;所述载物台底部贴合耐高压腔体的底部壁面并设有圆柱形定位销。

5.根据权利要求1所述气体水合物晶体培养装置,其特征在于,所述加长进气管为可拆卸部件;所述加长进气管采用不锈钢材质制成。

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