[发明专利]一种全光谱白光微LED芯片

说明书

技术领域

本发明涉及高品质照明技术领域，具体而言，涉及一种全光谱白光微LED芯片。

背景技术

微LED技术是通过在一个芯片上高密度地集成微小尺寸的LED阵列，以实现LED的薄膜化、微小化和矩阵化，其像素间的距离能够达到微米级别，而且每一个像素都能定址、单独发光。

目前，LED广泛应用于普通的照明领域,也用于特定照明领域,如矿井灯、投影灯、舞台灯等。但是，众所周知,日光是最理想的全光谱光源,给人以舒适的感觉且被大众所接受。而对太阳光拟合度较高的灯具产品鲜有问世。利用现有技术,如蓝光芯片黄色荧光粉、紫外芯片蓝红绿色荧光粉或蓝红绿光芯片混合得到的白光,存在光谱不连续、显色性低、光效差等缺点,从而影响了全光谱灯具的发展。

现有的高品质照明LED器件主要通过多荧光粉混合、多LED灯珠混合、智能调光控制等方式，提高照明舒适度，但这些方法存在混合光源发光面积大、二次配光设计困难、调光控制复杂等问题。

发明内容

本发明提供一种全光谱白光微LED芯片，其发光面积小、二次配光设计简单、色温可控以及光谱可调。

本发明提供的第一种技术方案：

一种全光谱白光微LED芯片包括：

微LED阵列，所述微LED阵列包括基板以及阵列在所述基板上的微LED芯片；

片状荧光粉层，所述片状荧光粉层包括荧光粉层和硅胶，所述荧光粉层与所述微LED芯片尺寸一致，所述荧光粉层涂覆在所述微LED芯片的表面，相邻两个所述荧光粉层之间采用所述硅胶隔离；

芯片电极，所述芯片电极由所述微LED芯片引出，所述芯片电极作为所述微LED芯片的电连接端。

进一步地，所述微LED芯片采用正装或倒装的结构形式安装在所述基板上。

进一步地，所述微LED芯片为条形，多个所述微LED芯片平行间隔排布在所述基板上。

进一步地，所述微LED芯片的宽度范围为50μm至300μm，所述微LED芯片的长度范围为250μm至1500μm，所述微LED芯片的数量为5个，相邻两个所述微LED芯片之间的间距范围为30μm至50μm。

进一步地，所述基板上设置有焊盘，每个所述微LED芯片对应设置一个所述焊盘，所述芯片电极设置在所述焊盘上。

进一步地，所述微LED芯片为方形，多个所述微LED芯片呈矩阵形式排布在所述基板上。

进一步地，所述微LED芯片排布有5行5列，所述微LED芯片的边长范围为50μm至300μm，相邻两行或相邻两列所述微LED芯片之间的间距范围为30μm至50μm。

进一步地，所述基板上设置有焊盘，每行所述微LED芯片对应设置一个所述焊盘，每列所述微LED芯片对应设置一个所述焊盘，所述芯片电极设置在所述焊盘上。

进一步地，所述微LED芯片为GaN紫蓝光芯片，峰值波长范围为410nm至470nm。

本发明提供的第二种技术方案：

一种全光谱白光微LED芯片包括：

微LED阵列，所述微LED阵列包括基板以及阵列在所述基板上的微LED芯片；

片状荧光粉层，所述片状荧光粉层包括荧光粉层和硅胶，所述荧光粉层与所述微LED芯片尺寸一致，所述荧光粉层涂覆在所述微LED芯片的表面，相邻两个所述荧光粉层之间采用所述硅胶隔离；

芯片电极，所述芯片电极由所述微LED芯片引出，所述芯片电极作为所述微LED芯片的电连接端，所述芯片电极设置在所述基板的上方或下方。

本发明提供的全光谱白光微LED芯片的有益效果是：

(1)微LED阵列表面涂覆片状荧光粉层，形成组合发光，具有尺寸小、发光面积小、二次配光设计简单、光品质高等优点。

(2)通过芯片电极点亮不同的微LED芯片，可进行不同的白光全光谱输出，进而实现色温可调、光谱可调的功能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明第一实施例提供的全光谱白光微LED芯片的结构示意图。

图2为图1的纵剖结构示意图。

图3为本发明第一实施例提供的全光谱白光微LED芯片的一种全光谱白光输出图。