[发明专利]一种OLED显示器件

权利要求书

1.一种OLED显示器件，其特征在于，包括TFT阵列基板、密封板和发光器件，所述密封板设置于所述TFT阵列基板上，与所述TFT阵列基板形成密闭空间，所述发光器件设置于所述密闭空间内的TFT阵列基板上，所述发光器件包括依次层叠的碳化硅衬底、光通过层、阴极层、感光树脂层、有机层、阳极层和透明导电超疏水薄膜，所述有机层包括呈矩阵分布在所述感光树脂层上的隔离层以及设置在所述多个隔离层之间的发光层，所述发光层的表面向下凹陷形成曲面，所述阳极层具有多个贯通的通孔，所述通孔的位置与所述发光层的位置相对应，所述光通过层包括光间隔区和光通过区，所述光间隔区呈矩阵分布所述碳化硅衬底上，所述光通过区形成于所述光间隔区之间，所述光间隔区的材料为遮光板，所述光通过区的材料为导光板，所述光通过区与所述发光层的位置相对应。

2.根据权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述通孔的形状为圆锥台形，且所述通孔下方的开口直径大于上方的开口直径。

3.根据权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成，所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层，所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。

4.根据权利要求3所述的OLED显示器件，其特征在于，所述应力缓冲层的材料为GaInAs。

5.根据权利要求3所述的OLED显示器件，其特征在于，所述应力缓冲层的厚度为0.6nm。

6.根据权利要求3至5任一项所述的OLED显示器件，其特征在于，所述应力缓冲层与所述氮化镓层形成共格界面。

7.根据权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述隔离层的截面形状为等腰梯形。

8.根据权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述透明导电超疏水薄膜由导电碳纳米管和疏水树脂复合而成，其中，所述导电碳纳米管的组分为25％。

9.根据权利要求8所述的OLED显示器件，其特征在于，所述透明导电超疏水薄膜的厚度为80nm。

10.根据权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述密封板包括密封盖和密封框，所述密封框设置于所述TFT阵列基板的边缘，所述密封盖与所述密封框的上端面密封连接。