[发明专利]一种实验室用汽化蚀刻设备在审
申请号: | 201711194800.1 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN107958856A | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 顾洪卫;朱永刚;殷福华;朱龙 | 申请(专利权)人: | 江阴江化微电子材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京方向标知识产权代理事务所(普通合伙)11636 | 代理人: | 张春合 |
地址: | 214400 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实验室 汽化 蚀刻 设备 | ||
1.一种实验室用汽化蚀刻设备,包括密闭的操作箱体,操作箱体的两侧对应设置有凸出的进料口和出料口,进料口、操作箱体和出料口中设置有用于输送蚀刻工件的输送机构,其特征在于,还包括蚀刻液储槽、雾化汽化组件和汽相导出组件,雾化汽化组件与蚀刻液储槽相配合,汽相导出组件用于将蚀刻液汽化产物导出至输送机构顶端的蚀刻工件表面。
2.根据权利要求1所述的实验室用汽化蚀刻设备,其特征在于,雾化汽化组件为设置在蚀刻液储槽中的超声雾化组件,或者为与蚀刻液储槽相通的射流雾化组件。
3.根据权利要求1所述的实验室用汽化蚀刻设备,其特征在于,汽相导出组件包含出汽管、补风机构、稳压阀和喷头,出气管的一端与蚀刻液储槽顶端或雾化汽化组件连接,另一端与喷头连接;补风机构与出汽管连接并用于向出汽管中补入洁净氮气;稳压阀连接在出汽管上,导出组件包含两个喷头,两个喷头相对设置在蚀刻工件的两侧斜上方,喷头的喷嘴倾斜向下设置。
4.根据权利要求3所述的实验室用汽化蚀刻设备,其特征在于,喷头与定位件一一对应固定连接,所述定位件上配合设置有升降驱动机构和/或间距调节机构,升降驱动机构用于调节喷嘴与蚀刻工件的高度间距,间距调节机构用于调节两喷嘴的水平间距。
5.根据权利要求4所述的实验室用汽化蚀刻设备,其特征在于,所述升降驱动机构为升降直线气缸,升降直线气缸的缸体与操作箱体的顶面连接,升降直线气缸的活塞杆与定位件固定连接。
6.根据权利要求5所述的实验室用汽化蚀刻设备,其特征在于,升降直线气缸的缸体与操作箱体的顶面铰接连接,间距调节机构为斜撑直线气缸,斜撑直线气缸的缸体和活塞杆分别与升降直线气缸的缸体以及操作箱体的顶面铰接连接,升降直线气缸的中心轴和斜撑直线气缸的中心轴位于同一平面内。
7.根据权利要求3所述的实验室用汽化蚀刻设备,其特征在于,还包括汽相回收组件,汽相回收组件用于收集逸散至蚀刻元件周围的汽相。
8.根据权利要求3所述的实验室用汽化蚀刻设备,其特征在于,密闭的操作箱体内设置有加热元件,或者补风机构上配合设置有加热元件;或者密闭的操作箱体内和补风机构上同时配合设置有加热元件。
9.根据权利要求7所述的实验室用汽化蚀刻设备,其特征在于,汽相回收组件包括设置在汽相回收口、回收管和气泵,汽相回收口设置在工件周围和/或操作箱体侧壁,汽相回收口通过回收管与出汽管连接。
10.根据权利要求9所述的实验室用汽化蚀刻设备,其特征在于,汽相回收组件还包括冷凝器,回收管上连通设置有第一支管和第二支管,第一支管与出汽管连通,第二支管与冷凝器连通,冷凝器的冷凝液出口与蚀刻液储槽连通;操作箱体顶端设置有废气管,冷凝器的气体出口与废气管连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造