[发明专利]一种OLED显示模组及显示器在审
申请号: | 201711192644.5 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN109841647A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 翟保才 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 201506 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素单元 阳极 发光层 红光 模组 阴极 显示模组 波长 显示器 申请 发光材料层 能量转化率 色彩失真 画质 量子 | ||
本申请本申请实施例涉及OLED显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示模组及显示器,用于在满足发出波长为610纳米至650纳米的红光的同时提高能量转化率。本申请实施例中,OLED显示模组包括子像素单元;其中,所述子像素单元包括阴极、阳极和发光层;其中,所述阴极位于所述阳极之上,所述发光层位于所述阳极之上,在所述子像素单元用于发红光时,所述发光层包括量子发光材料层。该显示模组在满足发出波长为610纳米至650纳米的红光的同时可以改善色彩失真现象,提高显示模组画质。
技术领域
本申请实施例涉及OLED显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示模组及显示器。
背景技术
随着有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示技术不断发展,DCI-P3广色域模式已经逐渐受到用户的青睐。
为了符合广色域模式的要求,技术人员一直在研发能发出波长为610纳米(Nanometer,nm)至650nm的红光的材料,现有技术中,可以发出波长为610nm至650nm的红光的材料都是有机合成材料,这种有机合成材料的能量转化率比较低,设备在使用这种材料时,会出现色彩失真等现象。
综上所述,亟需一种OLED显示模组在满足发出红光的同时改善色彩失真现象,提高显示模组画质。
发明内容
本申请实施例提供一种OLED显示模组和显示器,用于在满足发出波长为610纳米至650纳米的红光的同时提高能量转化率。
本申请实施例提供一种OLED显示模组,该OLED显示模组包括子像素单元;其中,所述子像素单元包括阴极、阳极和发光层;其中,所述阴极位于所述阳极之上,所述发光层位于所述阳极之上,在所述子像素单元用于发红光时,所述发光层包括量子发光材料层。
可选的,所述量子发光材料层用于发出预设波长范围的光;其中,所述预设波长范围为:610nm至650nm。
可选的,在所述子像素单元用于发红光时,所述发光层包括:第一有机发光材料层和第一量子发光材料层;其中,所述第一有机发光材料层位于所述阴极和所述阳极之间;所述第一量子发光材料层位于所述阴极之上;其中,所述第一有机发光材料层用于在所述阳极和所述阴极的作用下发出光;所述第一量子发光材料层用于吸收所述第一有机发光材料层发出的光后发出所述预设波长范围的光。
可选的,所述子像素单元还包括位于阴极之上的覆盖层;在所述子像素单元用于发红光时,所述第一量子发光材料层位于覆盖层之上。
可选的,所述第一量子发光材料层的吸收峰与所述第一有机发光材料层发出的光的波长匹配。
可选的,在所述子像素单元用于发红光时,所述发光层包括第二量子发光材料层;其中,所述第二量子发光材料层位于所述阳极和所述阴极之间;其中,所述第二量子发光材料层用于在所述阳极和所述阴极的作用下发出所述预设波长范围的光。
可选的,在所述子像素单元用于发蓝光时,所述发光层包括第二有机发光材料层;在所述子像素单元用于发绿光时,所述发光层包括第三有机发光材料层。
可选的,所述量子发光材料层的材料为硒化镉。
可选的,所述量发光材料层的厚度范围为10nm至100nm。
本申请实施例提供一种OLED显示器,所述OLED显示器包括上述任意一项所述的OLED显示模组。
本申请实施例中,OLED显示模组包括子像素单元;其中,所述子像素单元包括阴极、阳极和发光层;其中,所述阴极位于所述阳极之上,所述发光层位于所述阳极之上,在所述子像素单元用于发红光时,所述发光层包括量子发光材料层。该显示模组在满足发出红光的同时改善色彩失真现象,提高显示模组画质。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的