[发明专利]一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片有效
| 申请号： | 201711137923.1 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107658693B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 赵彤;张明江;徐雨航;张建忠;刘毅;乔丽君;王安帮;王云才 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/125;H01S5/068 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源;曹一杰 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 随机 光栅 反馈 单片 集成 混沌 激光器 芯片 | ||
1.一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片，其特征在于，包括：
一衬底；
一下限制层，其制作在衬底上；
一有源层，其制作在下限制层上；
一上限制层，其制作在有源层上；
一波导层，为条状，其纵向制作在上限制层上面的中间；
一P+电极层，其是用隔离沟将其分为两段，其制作在波导层上；
一N+电极层，其制作在下限制层的背面；
其中，分为两段的P+电极层分别对应于DFB激光器区和随机反馈区；
所述DFB激光器区为整个芯片提供输出光和反馈光，其对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层；
所述随机反馈区对DFB激光器区发出的光进行随机多反馈，该随机反馈区对应的有源层部分制作有随机反馈光栅层。
2.根据权利要求1所述的一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片，其特征在于，所述的DFB激光器区通过部分增益耦合光栅或者λ/4相移光栅来实现单纵模振荡；DFB激光器区的长度为300±50μm。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片，其特征在于，随机反馈区的长度为8-10mm。
4.根据权利要求1或2所述的一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片，其特征在于，所述的DFB激光器区对应的有源层部分为多量子阱材料。
5.根据权利要求3所述的一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片，其特征在于，所述的随机反馈区对应的有源层部分为体材料。
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