[发明专利]一种混合料及四氯化硅的生产方法有效
申请号: | 201711063708.1 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN107601512B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 王姗 | 申请(专利权)人: | 成都蜀菱科技发展有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 610000 四川省成都市新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 混合 料及 氯化 生产 方法 | ||
1.一种四氯化硅的生产方法,其特征在于,包括:
提供粉料状态的硅源,在所述硅源中二氧化硅与碳化硅的摩尔比为0.5~0.8∶1,所述硅源包括混合的第一原料和第二原料,其中,所述第一原料含有二氧化硅,所述第一原料为含二氧化硅的矿料,所述矿料的粒度为50~200目的粉料,且含水率小于1wt%;
所述第二原料含有碳化硅,所述第二原料为含碳化硅的固体原料,所述固体原料包括黑碳化硅和/或绿碳化硅,所述固体原料的粒度为70~230目的粉料,且含水率小于1wt%;
在反应器内,使氯气与粉末状态的所述硅源对流接触、且呈现流化床状态,在800~1500℃、5~15KPa的条件下进行气固反应;
氯气与所述硅源是在流化床中接触并反应的,并且通过控制氯气流量使流化床的热态空床流速为0.08~0.4m/s;
在反应器内通入氯气之前,反应器内先通过真空化处理,在真空的条件下以去除反应器内的水分、以及其他杂质元素气体,再通入氯气使反应器内的压力达到5~15kPa。
2.根据权利要求1所述的四氯化硅的生产方法,其特征在于,在所述硅源中二氧化硅与碳化硅的摩尔比为0.6~0.7∶1。
3.根据权利要求1所述的四氯化硅的生产方法,其特征在于,氯气与所述硅源反应的温度在1000~1400℃。
4.根据权利要求1所述的四氯化硅的生产方法,其特征在于,所述矿料包括硅砂、硅石、石英砂、鳞石英、方石英中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的四氯化硅的生产方法,其特征在于,所述第一原料和所述第二原料均通过加热干燥的方式除水至含水率小于1wt%,加热干燥的温度为100~300℃。
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