[发明专利]一种提高SSD写性能一致性的方法在审
申请号: | 201711010310.1 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN107832008A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 许毅;姚兰;郑春阳 | 申请(专利权)人: | 记忆科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F12/0811 |
代理公司: | 广东广和律师事务所44298 | 代理人: | 董红海 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区蛇口街道蛇*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 ssd 性能 一致性 方法 | ||
技术领域
本发明涉及固态硬盘控制技术,特别涉及一种提高SSD写性能一致性的方法。
背景技术
对于企业级的固态硬盘(SSD)而言,仅仅用性能和IOPS(Input/OutputOperations Per Second即每秒进行读写(I/O)操作的次数)去考量SSD是不全面的。更重要的是服务质量,即Qos(quality of service)。
服务质量(Qos)指的是SSD性能的一致性,特别针对4KB随机写业务的服务质量,针对4KB随机写的性能的一致性。在企业级应用环境下,写入SSD的数据是密集型的,即会一直有数据往SSD中写,由于数据缓存cache(DRAM)的存在数据写到cache后,主机就认为该笔数据传输完成了,所以写命令的性能取决于cache的剩余量,如果cache有余量,则数据会很快传完,传完即写完,性能高;如果cache没有余量,则需要等待SSD把cache中数据写入到Nand Flash介质,腾出足够的cache后才能响应命令,此时性能低;主机往cache中写数据(Host to DRAM简称为H2D)和cache往Nand Flash写数据(DRAM to Nand简称D2N)可以并行工作,图1是SSD写入数据的通路图;主机HOST通过H2D向SSD写入数据,SSD控制器接收到主机的写入命令时,接收数据并存储在数据缓存中;SSD控制器在根据一定的策略后台将缓存中的数据写入Nand Flash中;由于Nand Flash介质的特性,在主机持续往SSD写数据时,SSD内部的算法模块FTL需要对Nand Flash上的旧数据做一些诸如垃圾回收、磨损均衡、内部管理数据写入的操作,达到延长介质使用寿命、保持介质性能的目的。即SSD内部FTL会不定时的对Nand Flash做一些读写操作,这个时候这些内部操作会和D2N的写操作抢夺Nand Flash的带宽,即D2N的带宽将会急剧减少,cache腾出余量的速度变缓慢,直接导致H2D的性能变差。如图2是SSD的性能表;由于内部操作会和D2N的写操作抢夺Nand Flash的带宽,造成SSD的性能会发生抖动,忽高忽低,存在性能一致性很差的问题。
发明内容
针对以上缺陷,本发明目的是如何减小SSD性能特别是写性能的波动,提高性能一致性。
为了解决以上问题本发明提出了一种提高SSD写性能一致性的方法,其特征在于增加定时检测缓存往Nand Flash写数据D2N写速率的检测模块,当检测到D2N的写速率小于当前主机往缓存中写数据H2D的写速率时,根据D2N的写速率和H2D的写速率的差值,控制逐步降低H2D的写速率,逐步降低到与D2N的写速率相同,当D2N的写速率和H2D的写速率相同时,缓存也刚好达到满状态;当检测到D2N的写速率突然大于当前主机往缓存中写数据H2D的写速率时,根据D2N的写速率和H2D的写速率的差值,控制逐步提高H2D的写速率,逐步完全提高到H2D的写速率的极限带宽,控制逐步提高H2D的写速率的过程中一直保持缓存低于满状态。
所述的提高SSD写性能一致性的方法,其特征在于D2N的写速率和H2D的写速率通过每毫秒内通过的数据量来标识写速率的大小,检测模块每毫秒更新一次。
所述的提高SSD写性能一致性的方法,其特征在于根据触发SSD内部数据管理工作的不同阶段将SSD写数据划分为3种状态,分别为:稳态阶段、触发阶段和结束阶段。
所述的提高SSD写性能一致性的方法,其特征在于所述稳态阶段为SSD内部数据管理没有触发,D2N的写速率保持大于H2D的写速率,允许H2D的写速率按极限速度写入。
所述的提高SSD写性能一致性的方法,其特征在于所述触发阶段为SSD内部数据管理触发,D2N的写速率突然急剧下降,小于H2D的写速率。
所述的提高SSD写性能一致性的方法,其特征在于所述结束阶段为SSD内部数据管理完成,D2N的写速率突然急剧上升,大于H2D的写速率。
所述的提高SSD写性能一致性的方法,其特征在于当检测模块检测到D2N的写速率突然急剧下降,小于H2D的写速率,SSD写数据进入触发阶段,控制H2D的写速率匀速下降到与D2N的写速率相等,之后保持该H2D的写速率和缓存满状态。
所述的提高SSD写性能一致性的方法,其特征在于当检测模块到D2N的写速率突然急剧上升,大于H2D的写速率,SSD写数据进入结束阶段,控制H2D的写速率匀速上升到与D2N的写速率相等,上升过程缓存低于满状态,并逐步保持空闲状态。
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