[发明专利]元件剥离装置及元件剥离方法有效
申请号: | 201710659634.1 | 申请日: | 2017-08-04 |
公开(公告)号: | CN108666257B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 陈冠萦;孙铭伟 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 萧辅宽 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 剥离 装置 方法 | ||
一种元件剥离装置包含底座、第一内顶抵部及至少一个第一外顶抵部。所述底座包含第一表面。所述第一内顶抵部邻设于所述底座的第一表面,且可相对于所述底座的第一表面升降。所述第一外顶抵部邻设于所述底座的第一表面,且可相对于所述底座的第一表面升降,所述第一内顶抵部及所述第一外顶抵部是在动作步骤中大致同时顶到载体的表面。
技术领域
本发明涉及一种元件剥离装置及元件剥离方法,特别涉及一种利用顶抵方式的元件剥离装置及元件剥离方法。
背景技术
在半导体领域中,当晶片在布线完成后,会先贴附在一层贴布上,再经切割步骤以形成多个芯片。而后,需将各芯片从贴布上分别取下(即,将芯片从贴布上剥离)。然而,当芯片的厚度降低,芯片与贴布间的作用力容易在芯片剥离时,造成崩晶、芯片破损或芯片因倾斜变形而不易从贴布上取下。
发明内容
在一或多个实施例中,一种元件剥离装置包含底座、第一内顶抵部及至少一个第一外顶抵部。所述底座包含第一表面。所述第一内顶抵部邻设在所述底座的第一表面,且可相对于所述底座的第一表面升降。所述第一外顶抵部邻设在所述底座的第一表面,且可相对于所述底座的第一表面升降,所述第一内顶抵部及所述第一外顶抵部在动作步骤中大致同时顶到载体的表面。
在一或多个实施例中,所述元件剥离方法包括下列步骤:(a)提供贴覆有至少一个元件的载体;(b)提供元件剥离装置,其中所述元件剥离装置包括底座、第一内顶抵部及至少一个第一外顶抵部,所述第一内顶抵部及所述第一外顶抵部邻设在所述底座的第一表面,且可相对于所述底座的第一表面升降,其中所述第一外顶抵部位于所述第一内顶抵部外周围,所述第一内顶抵部及所述第一外顶抵部对准所述元件下方的载体;(c)同时上升所述第一内顶抵部及所述第一外顶抵部,以大致同时顶到所述载体,且向上推移所述元件一段距离;以及(d)从所述元件正上方将所述元件搬离所述载体。
附图说明
图1描绘根据本发明的一些实施例的元件剥离装置的实例的局部立体示意图。
图2描绘根据图1的元件剥离装置沿着线1-1的剖视示意图。
图3描绘根据图1的元件剥离装置的另一视角的局部立体示意图。
图4描绘根据图3的元件剥离装置沿着线4-4的剖视示意图。
图5描绘根据图3的元件剥离装置的作动示意图。
图6描绘根据图5的元件剥离装置沿着线6-6的剖视示意图。
图7到16描绘根据本发明的一些实施例的元件剥离方法。
图17描绘根据本发明的一些实施例的元件剥离装置的实例的局部剖视示意图。
图18到20描绘根据本发明的一些实施例的元件剥离方法。
图21描绘根据本发明的一些实施例的元件剥离装置的实例的局部剖视示意图。
图22到24描绘根据本发明的一些实施例的元件剥离方法。
具体实施方式
在半导体领域中,欲取得单一芯片(也是裸片),需将一整片已布线完成的晶片背面先贴上一层贴布,让晶片在被切割成一个个独立的芯片时,仍透过贴布上表面的粘性将每个芯片有秩序的暂时贴固在贴布上方,不致使芯片散落。之后,在切割程序完成后,通过真空吸嘴将芯片一一从贴布上取下,以进行后续的封装制程(将芯片粘在导线架或基板上)。但因贴布表面具有一定粘着力,使得芯片无法轻易地仅由真空吸嘴吸离。
为解决上述问题,一种解决方案先以一个面积小于芯片的可升降的活动平台向上推顶芯片的下方,此时位于所述芯片正下方的贴布区块会产生朝下的拉扯力(回弹力),且所述芯片下方周缘是悬空。接着,配合位于所述芯片正上方的吸嘴所提供的真空吸力,两者相互作用下,便能顺利地将所述芯片移离(剥离)所述贴布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造