[发明专利]一种干法蚀刻设备的尾气处理装置有效

专利信息
申请号: 201710647567.1 申请日: 2017-08-01
公开(公告)号: CN107469514B 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 肖文欢 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: B01D47/06 分类号: B01D47/06;F23G5/44;F23G7/06;F23J15/00
代理公司: 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 蚀刻 设备 尾气 处理 装置
【说明书】:

发明提出了一种干法蚀刻设备的废气处理装置,包括:第一输入部、第二输入部以及空气动力学管路,其中,所述第一输入部和所述第二输入部通过所述空气动力学管路相连通,所述第一输入部和所述第二输入部中排出的气体通过所述空气动力学管路向外排出。有益效果:通过设置一空气动力学管路,增加第一排气管路中废气的流速,减少第一排气管路中积尘现象;同时,第二排气管路中湿度为零的高速气流,可以中和第一排气管路中高湿度废气,从而改善第一排气管路的酸性积液问题,改善管路的腐蚀问题,节约了蚀刻工艺整体的成本,延长了机台保养的周期。

技术领域

本发明涉及尾气处理技术领域,特别涉及一种干法蚀刻设备的尾气处理装置。

背景技术

刻蚀工艺是用化学或物理的方法有选择地从基材表面去除不需要的材料的过程,其中干法刻蚀(Dry Etching),具有很好的各向异性刻蚀和线宽控制,已经在微电子技术中得到广泛的应用。

干法刻蚀工艺产生的尾气往往含有有毒有害成分,需要进行处理。因此,现有的干法刻蚀设备通常包含尾气处理装置,用于对干法刻蚀设备的尾气进行处理以达到排放标准,从而减少对大气的污染。

干法蚀刻制程的刻蚀反应中,会产生大量含有SiFx/SiClx、MoFx/MoClx、AlClx粉尘的尾气,而此类金属和非金属的氯化物/氟化物粉尘,在经过废气处理器时,能被分解为腐蚀性的氯离子和氟离子、SiOx粉尘。当这些分解物经过废气处理器的水洗塔时,大部分的粉尘颗粒都能被水洗塔所吸收,但仍有一部分SiOx粉尘和被气流夹带的酸液被带入到排风管路中,形成高湿度、酸性、含粉尘的废气;当废气进入排风管路后,废气的流速下降、温度降低,在排风管路中形成积液和积尘;日积月累,积液/积尘对排风管路造成管路腐蚀和堵塞(负压失效),严重情况下甚至导致排风管路酸气泄露,引起生产安全事故。

另外,传统的LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)制造工厂所采用的干法蚀刻设备包括基板载入载出室,而要完成基板在真空环境与外界大气环境的状态切换,通常采用CDA(压缩空气)或GN2(一般氮气)作为排出气体;当基板载入载出室使用CDA或GN2达到大气状态时,再使用真空泵将基板载入载出室抽成真空状态,产生的排气气流直接排放到废气管道;此类高流速、高纯度、零湿度的气体不能被二次利用,造成成本的浪费。

发明内容

本发明提供一种干法蚀刻设备的尾气处理装置,其能避免废气腐蚀排风管路。

为实现上述目的,本发明提供的技术方案如下:

本发明提供了一种干法蚀刻设备的尾气处理装置,所述尾气处理装置包括:第一输入部、第二输入部以及空气动力学管路;

其中,所述第一输入部和所述第二输入部通过所述空气动力学管路相连通,所述第一输入部和所述第二输入部中排出的气体通过所述空气动力学管路向外排出。

根据本发明一优选实施例,所述空气动力学管路为文丘里管。

根据本发明一优选实施例,所述文丘里管包括第一进口、第二进口以及第一出口;

所述第一进口与所述第一输入部相连,所述第二进口与所述第二输入部相连;

从所述第二进口至所述第一进口为所述文丘里管的第一收缩段,所述第一进口至所述第一出口为所述文丘里管的第一扩张段。

根据本发明一优选实施例,所述第一输入部包括制程腔、第一干泵、燃烧室、水箱、水洗塔、汽水分离器、第一排气管路以及至少两个调节阀。

根据本发明一优选实施例,所述第一排气管路中的气体为预定湿度、预定酸度且含粉尘的废气。

根据本发明一优选实施例,所述汽水分离器为填充式汽水分离器,所述汽水分离器内部装有吸附气体中水蒸气的填料。

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