[发明专利]QLED器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种QLED器件，包括依次层叠结合的底电极、第一功能层，设置在所述第一功能层上的功能化石墨烯像素阵列，设置在所述功能化石墨烯像素阵列上的量子点发光层，以及依次结合在所述量子点发光层上的第二功能层和顶电极，其中，所述功能化石墨烯像素阵列包括石墨烯像素阵列以及在所述石墨烯像素阵列表面修饰的活性官能团，且所述活性官能团修饰在所述石墨烯像素阵列背对所述空穴传输层的表面，所述量子点发光层通过所述活性官能团与所述功能化石墨烯像素阵列结合。

技术领域

本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点(Quantum dot)又称为半导体纳米晶，是半径小于或接近波尔激子半径的纳米晶颗粒。量子点由于具有量子限域效应、表面效应、量子尺寸效应和量子隧道效应等性能，同时具有单色性好、色纯度高、发光光谱窄等突出优点，在光电和电光领域有重要的应用前景。

基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dots light-emitting diode,QLED)，是一种新型的显示器件。量子点显示器件具有色域覆盖广、色彩容易控制以及色纯度高等优点，被认为是显示技术的新星，同时也被认为是显示技术的革命性代表。目前，在QLED的制备技术中，最有希望实现大规模产业化的生产工艺是墨水打印法。传统的印刷量子点器件，一般是将量子点墨水或其他功能层墨水打印到带有阵列的条形凹槽衬底上，溶剂挥发后沉积成薄膜。然而，在打印过程中，量子点墨水或功能层墨水的配方、印刷用衬底的质量、打印设备的精确度等都对膜层的均匀性有至关重要的影响，极易造成“咖啡环”等成膜不均匀等现象。除此之外，目前印刷量子点器件所用的衬底结构复杂、制作工艺复杂、对环境污染大、且其结构形状并不完全利于膜层的沉积，同时，衬底材料、衬底厚度和凹槽边缘的高度等因素会使产品厚度较大，且不利于做成柔性器件。此外，由于量子点的颗粒尺寸与普通离子或有机小分子相比较大，并且量子点表面含有丰富的有机配体，成膜后量子点颗粒之间的连接并不紧密，膜层相对松散，同时与其下方的空穴传输层之间紧密度低，膜层相对松散，沉积后的量子点仍有很大机会在后续其他功能层的溶液法成膜过程中重新溶解带走或直接冲走，导致量子点膜层不均匀、界面缺陷较大，进而导致器件发光不均匀。即使采用难溶解量子点的溶剂，也难以避免该过程的发生，而且也因为这样，后续功能层材料的选择也会受到其可选溶剂的限制。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有QLED器件成膜均匀性差或量子点发光层容易被破坏导致器件发光不均匀的问题。

本发明是这样实现的，一种QLED器件，包括依次层叠结合的底电极、第一功能层，设置在所述第一功能层上的功能化石墨烯像素阵列，设置在所述功能化石墨烯像素阵列上的量子点发光层，以及依次结合在所述量子点发光层上的第二功能层和顶电极，

其中，所述功能化石墨烯像素阵列包括石墨烯像素阵列以及在所述石墨烯像素阵列表面修饰的活性官能团，且所述活性官能团修饰在所述石墨烯像素阵列背对所述空穴传输层的表面，所述量子点发光层通过所述活性官能团与所述功能化石墨烯像素阵列结合。

以及，一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

在衬底上沉积石墨烯层，对所述石墨烯层进行图案化处理形成石墨烯像素阵列，对所述石墨烯像素阵列背离所述衬底的表面进行修饰处理，得到功能化石墨烯像素阵列；

提供阳极，在阳极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层，然后将所述功能化石墨烯像素阵列转印到所述空穴传输层上，且使得修饰处理的表面背对所述空穴传输层；

在所述功能化石墨烯像素阵列上依次沉积量子点发光层、电子传输层和阴极；或

所述制备方法包括以下步骤：