[发明专利]包括多种类型的薄膜晶体管的有机发光显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示装置，包括：

基板，所述基板形成为塑料层/无机膜/塑料层的三层结构，其中所述无机膜由硅氮化物形成；

在所述基板上的像素，所述像素包括：

在所述基板上的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括：

由多晶硅形成的第一有源层，以及

层间绝缘层的在所述第一有源层上的至少第一部分，所述层间绝缘层由包含氢的第一材料形成；

在所述基板上的开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管包括：

第二有源层，

所述层间绝缘层的在所述第一有源层与所述第二有源层之间的至少第二部分，以及

栅极绝缘层的在所述层间绝缘层的所述第二部分与所述第二有源层之间的至少一部分，所述栅极绝缘层由第二材料形成，所述第二材料与所述第一材料不同并且阻挡氢从所述层间绝缘层扩散到所述第二有源层；以及

电连接至所述驱动薄膜晶体管的有机发光二极管；

其中所述第一材料包括硅氮化物，所述第二材料包括硅氧化物；

其中所述栅极绝缘层包括第一部分和第二部分，所述栅极绝缘层的所述第一部分比所述栅极绝缘层的所述第二部分更靠近所述第二有源层，所述栅极绝缘层的所述第一部分的密度高于所述栅极绝缘层的所述第二部分的密度；以及

所述有机发光显示装置还包括设置在所述第一有源层下方并且与所述第一有源层交叠的底部屏蔽金属。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二材料的氢含量小于所述第一材料的氢含量。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述栅极绝缘层包括第一部分和第二部分，所述栅极绝缘层的所述第一部分比所述栅极绝缘层的所述第二部分更靠近所述第二有源层，所述栅极绝缘层的所述第一部分的氢含量小于所述栅极绝缘层的所述第二部分的氢含量。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述驱动薄膜晶体管和所述开关薄膜晶体管上方的钝化层，其中所述钝化层的至少一部分接触所述第二有源层。

5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中所述钝化层包括第一部分和第二部分，所述钝化层的所述第一部分比所述钝化层的所述第二部分更靠近所述第二有源层，所述钝化层的所述第一部分的氢含量小于所述钝化层的所述第二部分的氢含量。

6.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中所述钝化层包括第一部分和第二部分，所述钝化层的所述第一部分比所述钝化层的所述第二部分更靠近所述第二有源层，所述钝化层的所述第一部分的密度高于所述钝化层的所述第二部分的密度。

7.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中所述钝化层包括：

包括硅氧化物的第一钝化层；以及

第二钝化层，其在所述第一钝化层上并且由硅氧化物之外的不同材料形成，所述第一钝化层比所述第二钝化层更靠近所述第二有源层。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述驱动薄膜晶体管包括第一栅电极，其中所述开关薄膜晶体管包括第二栅电极，其中所述第一栅电极和所述第二栅电极设置在相同的层上。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括在所述基板上的存储电容器，所述存储电容器包括：

与所述第一有源层设置在相同的层上的第一电容器电极；以及

在所述第一电容器电极上的第二电容器电极。

10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述开关薄膜晶体管包括在所述基板上的栅电极，以及其中所述第二电容器电极与所述开关薄膜晶体管的所述栅电极设置在相同的层上。