[发明专利]氧化锆陶瓷坯件的退火方法及氧化锆陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种氧化锆陶瓷坯件的退火方法，其特征在于，包括以下步骤：

将氧化锆陶瓷坯件放置于第一平板，再在所述氧化锆陶瓷坯件上覆盖第二平板；

将所述氧化锆陶瓷坯件升温至300℃～500℃后保温1h～2h；

再将所述氧化锆陶瓷坯件升温至600℃～800℃后保温1h～5h；

再将所述氧化锆陶瓷坯件升温至800℃～1300℃后保温1h～10h；

再将所述氧化锆陶瓷坯件降温至100℃～200℃后自然冷却至室温；

所述第一平板及所述第二平板为莫来石板或氧化铝板；所述第一平板与所述第二平板对所述氧化锆陶瓷坯件形成10Pa～1000Pa的压强。

2.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷坯件的退火方法，其特征在于，所述第一平板与所述氧化锆陶瓷坯体接触的表面及所述第二平板与所述氧化锆陶瓷接触的表面经过抛光处理。

3.根据权利要求2所述的氧化锆陶瓷坯件的退火方法，其特征在于，所述第一平板与所述氧化锆陶瓷坯件接触的表面经过抛光处理后的平面翘曲度及所述第二平板与所述氧化锆陶瓷坯件接触的表面经过抛光处理后的平面翘曲度与所述氧化锆陶瓷坯件表面的平面翘曲度相同；所述第一平板与所述氧化锆陶瓷坯件接触的表面经过抛光处理后的粗糙度及所述第二平板与所述氧化锆陶瓷坯件接触的表面经过抛光处理后的粗糙度与所述氧化锆陶瓷坯件表面的粗糙度相同。

4.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷坯件的退火方法，其特征在于，所述将氧化锆陶瓷坯件升温至300℃～500℃时的升温速率为3℃/min～5℃/min；

及/或，所述将氧化锆陶瓷坯件升温至600℃～800℃时的升温速率为3℃/min～5℃/min；

及/或，所述将氧化锆陶瓷坯件升温至800℃～1300℃时的升温速率为3℃/min～5℃/min。

5.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷坯件的退火方法，其特征在于，所述氧化锆陶瓷坯件降温至100℃～200℃时的降温速率为1℃/min～3℃/min。

6.一种氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将氧化锆陶瓷喂料进行注射成形得到氧化锆陶瓷坯体；

对所述氧化锆陶瓷坯体进行脱脂处理；

对所述氧化锆陶瓷坯体进行烧结处理得到氧化锆陶瓷坯件；

对所述氧化锆陶瓷坯件进行研磨处理；

对氧化锆陶瓷坯件进行抛光处理；

再采用如权利要求1～5任一项所述的氧化锆陶瓷坯件的退火方法对氧化锆陶瓷坯件进行退火处理。

7.根据权利要求6所述的氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，所述氧化锆陶瓷喂料按质量份数计包括5份～25份的氧化锆粉末、20份～80份的黏结剂及1份～10份的分散剂。

8.根据权利要求6所述的氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，对所述氧化锆陶瓷坯体进行烧结处理时的温度为1300℃～1500℃；烧结处理的时间为20h～30h。

9.根据权利要求6所述的氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，采用碳化硼研磨液对所述氧化锆陶瓷进行研磨处理；进行研磨处理后所述氧化锆陶瓷坯件的表面粗糙度为5nm～20nm。

10.根据权利要求6所述的氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，采用聚氨酯抛光垫和氧化硅抛光液配合对所述氧化锆陶瓷坯件进行抛光处理。