[发明专利]一种QLED器件及其反向电压驱动模式

说明书

本发明公开了一种QLED器件及其反向电压驱动模式，其中，所述QLED器件的反向电压驱动模式为在每个驱动周期内，当QLED器件不工作时，向所述QLED器件发射至少一个反向驱动信号，所述反向驱动信号为反向电压信号，通过在QLED器件不工作时，向其发射一个反向电压信号，改变缺陷势阱的势垒，以加速限制和聚集于势阱中的电荷的消除，从而达到延长QLED器件寿命的目的。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种QLED器件及其反向电压驱动模式。

背景技术

量子点发光二极管（QLED）是具有高显示性能和印刷显示适应性的下一代显示技术，然而QLED的寿命一直是制约其广泛应用的瓶颈。除了对材料、器件、制备工艺的优化以外，驱动QLED也是一种可以减缓QLED光强衰减，增强QLED使用寿命的方法。QLED是一般需要空穴传输层、量子点发光层、电子传输层构成。由于每层的能级不同，因此存在能级差，在QLED的工作中，电荷会聚集在有能级差的界面，特别是与量子点发光层接触的界面，能够很大的影量子点的发光特性。从而减低发光光强。另一方面，在每种材料内部，例如量子点的表面，传输层材料分子之间都存在大量的缺陷，这些缺陷也是限制载流子的原因。随着QLED的工作时间增加，越来越多的电荷限制到缺陷中，作为淬灭光子的中心，极大的减低发光光强。因此如何消除限制和聚集在势阱中的电荷，提高QLED器件寿命的问题还亟待解决。

因而现有技术还有待改进和提高。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种QLED器件及其反向电压驱动模式，通过在QLED器件不工作时，向其发射一个反向电压信号，改变缺陷势阱的势垒，以加速限制和聚集于势阱中的电荷的消除，从而达到延长QLED器件寿命的目的。

为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：

一种QLED器件的反向电压驱动模式，其中，在每个驱动周期内，当QLED器件不工作时，向所述QLED器件发射至少一个反向驱动信号，所述反向驱动信号为反向电压信号。

所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，所述驱动周期内还设置有空置驱动信号，在驱动QLED器件工作的正向驱动信号结束后或者空置驱动信号结束后立即向QLED器件发射所述反向驱动信号。

所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，所述正向驱动信号为任意波形的电压信号或电流信号。

所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，所述反向驱动信号的波形为方波、三角波、斜波、正弦波中的至少一种。

所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，所述反向电压信号的最大值小于QLED器件的击穿电压。

所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，每个驱动周期内，所有反向驱动信号的持续时间之和占每个驱动周期的时间百分比为1%～99%。

所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，每个驱动周期内，所述空置驱动信号的持续时间占每个驱动周期的时间百分比为1%～99%。

所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，所述反向驱动信号的频率大于60Hz。

所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，所述反向电压信号的幅值为-0.1V～-10V。

一种QLED器件，其至少包括依次叠层设置的底电极、发光层和顶电极，所述底电极和顶电极之间连接一驱动电路，所述驱动电路的工作模式为如上所述的反向电压驱动模式。